本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识,并给出许多典型设计与应用实例。较之于*版,本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章,内容主要包括LED及其驱动电源基础知识,LED驱动电源的基本原理,LED驱动电源的设计与应用指南,LED灯具保护电路的设计,从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则,从LED驱动电源的基本原理,到LED驱动电源各单元电路的设计,再到整机电路设计,可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。
本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里,通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕 史前文明 电子管时代、 新石器时代 晶体管时代、 战国时代 中小规模集成电路时代、 大一统秦朝 大规模和超大规模集成电路时代、 大唐盛世 特大规模和巨大规模集成电路时代、 走进新时代 移动互联时代、 拥抱未来 半导体科技的展望,对半导体领域涉及的技术发展情况、关键的人和事件等进行了描述,对未来的产业发展进行了展望,为我们勾勒了一幅半导体技术也是人类社会发展的蓝图。不管你是芯片行业的从业人员,还是对芯片产业感兴趣的人,抑或是对科技、对历史感兴趣,本书都非常适合你闲暇之时拿来阅读,从中了解信息社会的发展情况与未来趋势,相信定会有所收获。
《LED灯具设计》全部采用彩色印刷,文字清晰,插图非常精美。《LED灯具设计》的特点在于融合了灯具设计的光学、电气等理工科专业知识与造型、材料等艺术类专业知识,按照灯具产品从设计到生产涉及的知识来组织知识结构,全面介绍灯具设计各个方面,详细叙述了灯具光学设计、造型设计的要素及方法、灯具检测与组装等知识,主要内容包括:灯具概述、灯具设计原则与要素、灯具光学设计、灯具造型设计、LED灯具设计、灯具检测、典型灯具产品组装与工程施工等。 同时,《LED灯具设计》为了适应职业教育改革的需要,贯彻以培养高职高专学生以实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想,力求体现精炼与实用,是一本难得的文理兼修的综合性教材。 《LED灯具设计》可供电光源技术爱好者或者灯具设计施工人员阅读参考,本书还适用于高等职
《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学(相图)、电学、光学和缺陷性能,材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术,《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分,《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系,并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中,作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研
这是一本半导体科普书,介绍了半导体的相关知识。在开始学习之前,通过序章,首先介绍半导体有什么了不起之处、半导体的类型和作用、半导体是如何制造的,以及半导体发挥作用的领域。之后通过5章具体的内容,阐述半导体是什么,晶体管是如何制造的,用于计算的半导体,用于存储的半导体,光电、无线和功率半导体等。此外,本书在每章 配有“半导体之窗”,补充了一部分相关知识。本书适合对半导体感兴趣的初学者阅读,对于学生也有很高的科普阅读价值。
本书共11章,以硅集成电路为中心,重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大,设计可靠性越来越重要,在设计阶段借助可靠性仿真技术,评价设计出的集成电路可靠性能力,针对电路设计中的可靠性薄弱环节,通过设计加固,可以有效提高产品的可靠性水平,提高产品的竞争力。
本书是“现代学徒制教学标准”重量教学改革项目的建设成果。全书分为SMT物料基础、SMT物料的编码管理规则、SMT物料管理系统和MINI音箱物料管理实训,共计4章,前3章系统地讲述了各种物料的识别与检测、SMT物料管理编码管理规则和SMT物料管理系统,第4章为综合实训部分,完整地阐述了电子产品物料按照生产计划进行的物料采购、仓库管理、物料的领用等过程。
《晶体管电路活用技巧》首先从分立晶体管的行为开始介绍放大的机理、电流/电压的处理方法。进而对模拟IC的典型电路OP放大器进行晶体管级解析,目的是掌握乘法电路、A-D转换器、非线性电路的构成方法。书中所列举的晶体管电路,以及能够利用电子电路模拟器PSpice和SIMetrix的数据文件都收录在科学出版社()下载区,对电路或参数稍作变更,就能够用于解析。 《晶体管电路活用技巧》可作为从事模拟技术开发及电路设计的技术人员的参考书,也可供工科院校相关专业师生参考使用。
DC-AC逆变技术是应用电力半导体器件,将直流电能变换成交流电能的一种静止变流技术。在以直流发电机、蓄电池为主直流电源的二次电能变换和可再生通顺(太阳能、风能等)的并网发电等场合,逆变技术具有广泛的应用前景。 本书在论述了电力电子及其逆变技术现状与发展的基础上,按电气隔离、功率流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关技术等类型,系统,深入并有创新地论述了方波、多重移相叠加阶梯波合成、脉宽调制、单向电压源高频环节、高频脉冲直流环节、双向电压源高频环节、谐振式双向电压源高频环节、电流源高频环节、直流变换器型高频环节、三相、并联、多电平、可再生能源并网、Delta等逆变技术和控制、驱动、缓冲、滤波等相关技术
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章,47个专题,近300张图片(包括书末40余幅珍贵图片,既有的科学家,也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备)。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史,以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用,说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展,重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研究的贡献
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术;扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨
本书重点介绍了新的ARM架构、指令集的总结、硬件特性以及调试系统的概览。本书还提供了一些程序示例,并且在其中讲解了使用GNU工具链与ARM工具的基本方法与步骤。主要内容包括:ARM架构的背景、Cortex?M3入门、操作模式、异常与中断、汇编语言基础、存储器系统、Cortex?M3上的汇编与C编程、开发流程、电源管理、多处理机通信、开发工具、调试、Keil RealView MDK使用入门等。随书附光盘1张,内含ARM Cortex?M3相关文章及Keil RealView MDK评估软件等。 本书适用于使用ARM Cortex?M3微控制器的研发人员作为技术、编程参考,也可作为Cortex?M3微控制器教学或培训用教材。