本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求，贴近工业实践，知识内容新颖，可为工业界以及高校提供前沿数据，为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书，也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

LED因其高效节能环保等诸多优点成为照明领域的未来方向。《LED电源设计指南》讲述LED的各种实践知识，以及如何根据这些知识进行实际照明设计。书中内容共分为12章，将理论与实践结合，为读者提供LED电源设计的背景知识以及实战指南。

本书共包括15章：章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；1章介绍了金属化工艺；2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；3章介绍了工艺整合；4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的的成果。本书是一本精心编著，并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版，必将有助于我国电力电子事业的发展。

《功率半导体器件及其仿真技术》是在作者多年从事功率半导体器件工艺和产品开发的基础上完成的。全书共分为五部分，即功率半导体器件的基础、工作原理、加工工艺、设计及热设计，其中前两部分是功率半导体器件应用基础，重点给出了功率半导体器件的发展历史、目前的制作水平、未来发展趋势和几种常见功率器件的工作原理；后三部分主要给出了作者在工作中所使用的工艺和产品设计过程中运用的基本理论和基本技术，特别是在设计部分，作者给出了自己实际工作过程中编制计算程序的源代码、晶闸管的设计流程和经验参数计算等。 《功率半导体器件及其仿真技术》可为从事功率器件的研究人员提供十分有价值的设计参考。

《晶体管电路活用技巧》首先从分立晶体管的行为开始介绍放大的机理、电流/电压的处理方法。进而对模拟IC的典型电路OP放大器进行晶体管级解析，目的是掌握乘法电路、A-D转换器、非线性电路的构成方法。书中所列举的晶体管电路，以及能够利用电子电路模拟器PSpice和SIMetrix的数据文件都收录在科学出版社（）下载区，对电路或参数稍作变更，就能够用于解析。 《晶体管电路活用技巧》可作为从事模拟技术开发及电路设计的技术人员的参考书，也可供工科院校相关专业师生参考使用。

本书的内容与1984年版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。 本书可供从事半导体科研和生产的科研人员，大专院校老师和研究生使用。

DC-AC逆变技术是应用电力半导体器件，将直流电能变换成交流电能的一种静止变流技术。在以直流发电机、蓄电池为主直流电源的二次电能变换和可再生通顺（太阳能、风能等）的并网发电等场合，逆变技术具有广泛的应用前景。 本书在论述了电力电子及其逆变技术现状与发展的基础上，按电气隔离、功率流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关技术等类型，系统，深入并有创新地论述了方波、多重移相叠加阶梯波合成、脉宽调制、单向电压源高频环节、高频脉冲直流环节、双向电压源高频环节、谐振式双向电压源高频环节、电流源高频环节、直流变换器型高频环节、三相、并联、多电平、可再生能源并网、Delta等逆变技术和控制、驱动、缓冲、滤波等相关技术

《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面，深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说，是正确理解相关技术的重要参考书，同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识，指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。

《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研究的贡献