本书全面系统地介绍了CMOS模拟IP线性集成电路的结构、相关分析及设计技术。全书共12章，主要包括CMOS模拟电路中基本的元器件模型及应用；高稳定的电压电流偏置结构，与温度、电源和工艺无关的电压带隙基准与电流基准设计，基本的组合增益与差分增益电路结构，以及针对实际应用需要的高速高增益、大驱动、宽动态与线性范围的集成运放电路设计；重点对多级闭环运放的频率响应与系统稳定性进行了深入系统的分析，总结出实现系统稳定与高速响应的各类频率补偿方法，研究了电路的本征噪声特性、电路结构与电源噪声有关的PSRR特性；最后，针对低压宽摆幅信号处理的应用，完成了一类轨至轨模拟运放的IP电路分析与设计。 本书是在结合作者多年模拟电路教学和实际工程开发经验的基础上编写而成的，经过多年微电子专业本科生、硕士研究生相关专业课
本书通过四种最有代表性的封装类设计实例(QFP、PBGA、FC-PBGA、SiP)，详细介绍了封装设计过程及基板、封装加工、生产方面的知识。本书还涵盖封装技术的概念、常用封装材料介绍及封装工艺流程、金属线框QFP的设计、WireBond介绍、PBGA设计、基板工艺、封装工艺、8个Die堆叠的SiP设计与制作过程、高速SerDes的FC-PBGA设计关键点、Flip Chip设计过程中Die与Package的局部Co-Design。
集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。
本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。 本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。
《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计，并给出了一些相关设计实例，内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件，从电路到系统的全面内容，是一本的、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。 《CMOS集成电路设计手册》是英文原版书作者近30年教学、科研经验的结晶，是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订，目前为第3版，内容较第2版有了改进，补充了CMOS电路设计领域的一些新知识，使得本书较前一版内容更加详实。 为了方便读者有选择性地学习，将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版，分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇，本书为模拟电路篇，介绍了电流源、电压源、放大器、数据转换器等电路的设计与实现。 《CMOS集成电路设计
本书是《CMOS射频集成电路设计》的第二版，这本被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题，因此是高年级
《国外电子与通信教材系列：微电子电路设计（第4版）》涵盖了微电子电路设计所需基础知识，主要由三个部分组成。部分介绍固态电子学与器件，讨论了电子学的发展与电路分析方法和微电子器件的工作原理、I?V特性及SPICE模型等。第二部分为数字电路，包括数字电路的基本概念和CMOS电路、存储电路、ECL与TTL等双极型逻辑电路以及BiCMOS电路。第三部分为模拟电路，以理想运算放大器和SPICE仿真为基础介绍了不同结构运算放大器的相关特性、小信号模型、具体分析方法和集成设计技术，最后讨论了放大器的频率响应、反馈和振荡器等高题。 通过学习本书可以了解现代微电子电路设计，包括模拟与数字，分立与集成，了解内部结构也有利于系统设计中对集成电路的适当选择。
本书从一位集成电路分销商的角度观察集成电路供应链上下游发展规律，分析了集成电路二十一个原厂的发展历程、集成电路的典型封装和命名规则、知名品牌历史和特殊个性，直指各大集成电路厂商的恩怨情仇和江湖世界；其中还杂糅了颇具代表性的创业经历和多位从业者的职业感悟，可以感受到他们对集成电路供应链的前瞻和国内半导体行业的期望。
《MOS集成电路结构与制造技术》利用集成电路剖面结构技术，系统地介绍MOS集成电路结构和典型集成电路制造技术，包括PMOS（E／E型、E／D型）、NMOS（E／E型、E／D型）、CMOS（P-Well、N-Well、TWin-Well）、LV／HV兼容CMOS、BiCMOS、LV／HV兼容BiCMOS以及LV／HV兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。如此深入地展示电路芯片工艺剖面结构，有助于电路设计、芯片制造、良率提高、产品质量改进、电路失效分析等。 《MOS集成电路结构与制造技术》技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路
《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计，并给出了一些相关设计实例，内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件，从电路到系统的全面内容，是一本、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。 《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶，是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订，目前为第3版，内容较第2版有了改进，补充了CMOS电路设计领域的一些新知识，使得本书较前一版内容更加详实。 为了方便读者有选择性地学习，此次将《CMOS集成电
本套丛书系引进欧姆社翻译出版的中文版图书。基本涵盖了有关电子电气方面的知识。内容简洁，重点突出，同时配以大量插图帮助讲解，具有较高的参考阅读价值。
由于芯片尺寸的减小、集成度密集化的增强、电路设计复杂度的增加、电路性能要求的提高等因素，对芯片内的时序分析提出了更高的要求。静态时序分析是大规模集成电路设计中非常重要的一个环节，它能验证设计在时序上的正确性，并决定设计是否能够在要求的工作频率下运行。本书由集成电路设计专业论坛站长刘峰编著，共11章，基于广度和深度两个方面来阐述整个CMOS集成电路静态时序分析流程与时序建模技术，并通过实践案例对技术应用进行更深入的讲解，使初学者在静态时序分析与建模两方面得到理论与实战的双重提高。本书适合作为微电子与集成电路相关专业的研究生、本科生、职业技术类学生的教材和教辅书，也可作为电子、自控、通信、计算机类工程技术人员学习使用集成电路设计软件和进修集成电路设计的专业技术参考书与工具书。
《超大规模集成电路测试：数字存储器和混合信号系统》系统地介绍了这三类电路的测试和可测试性设计。全书共分三个部分。部分是测试基础，介绍了测试的基本概念、测试设备、测试经济学和故障模型。第二部分是测试方法，详细论述了组合和时序电路的测试生成、存储器测试、基于DSP和基于模型的模拟与混合信号测试、延迟测试和IDDQ测试等。第三部分是可测试性设计，包括扫描设计、BIST、边界扫描测试、模拟测试总线标准和基于IP核的SOC测试。VLSI测试包括数字、存储器和混合信号三类电路测试。
本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。 本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。
本书讲究实用性，希望其中的内容能帮助ASIC设计工程师清楚明了IC设计的基本概念，IC设计的流程，逻辑综合的基本概念和设计方法，解决进行IC设计时和工具使用时所遇到的问题。 虞希清编著的《专用集成电路设计实用教程(第2版)》共分九章，章概述IC设计的趋势和流程；第二章介绍用RTL代码进行电路的高级设计和数字电路的逻辑综合；第三章陈述了IC系统的层次化设计和模块划分；第四章详细地说明如何设置电路的设计目标和约束；第五章介绍综合库和静态时序分析；第六章深入地阐述了电路的优化和优化策略；第七章陈述物理综合和简介逻辑综合的拓扑技术；第八章介绍可测性设计；第九章介绍低功耗设计和分析。 本书的主要对象是IC设计工程师，帮助他们解决IC设
