GB/T 302414齐纳二极管安全栅》分为两个部分： ——第1部分：通用技术条件； ——第2部分：性能评定方法。 本部分为GB/T 30241的第1部分。 本部分按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 请注意本部分的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中国机械工业联合会提出。 本部分由全国工业过程测量和控制部分化技术委员会(SAC/TC 124)归口。 本部分起草单位：南京优倍电气有限公司、重庆宇通系统软件有限公司、国家防爆电气产品质量监督检验中心、福建上润精密仪器有限公司、深圳万讯自控股份有限公司、中山市东崎电气有限公司、北京远东仪表有限公司、重庆川仪自动化股份有限公司、西南大学。 本部分主要起草人：董健、韩绍盈、张刚、李宇波、岳周、冯伟、邹崇、戈剑、袁敏勋、
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
为了指导全国LED道路照明灯具（以下简称 LED灯具 ）的推广应用，保证照明工程质量，制定本规范。 本规范适用于新建、扩建和改建的城市道路及与道路相连的特殊场所采用LED道路照明的设计、施工与验收、养护与检测。本标准的主要技术内容是：1总则；2术语；3产品技术要求；4工程技术要求；5施工与验收；6养护与检测。
本部分是《半导体器件分立器件》系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准： ——GB/T 4589.1-2006《半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范》； ——GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》； ——GB/T 17573-1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》； ——GB/T 4023-1997《半导体器件 分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》； ——GB/T 6571-1995《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》； ——GB/T 20516-2006《半导体器件分立器件第4部分：微波器件》； ——GB/T 21039.1-2007《半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范》； ——GB/T 15291 1994《半导体器件 第6部分：晶闸管》； ——GB/T 4587 1994《半导体器件分立器件和集成电路第7部分
本标准按GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB／T 11490一1989《彩色显像管管基尺寸》。 本标准与GB／T 11490--1989相比主要变化如下： ——增加了第2章规范性引用文件； ——增加了第3章术语和定义； ． ——用3种类型管基外形尺寸图和具体尺寸标注示例代替了原标准的具体管基尺寸图，并对标注尺寸的名称进行了规定； ——增加了管基电极接线图示例； ——删除了第3章检验量规。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC／TC 167)归口。 本标准起草单位：彩虹集团公司。 本标准主要起草人：黄宁歌、牛少梅、韩胜。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB／T 11490--1989。
本标准等同采用ISO 15632：2002《半导体探测器X射线能谱仪通则》。 本标准的附录A、附录B为规范性附录。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会归口。
本标准的附录A和附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由中国轻工业联合会提出。 本标准由全国照明电器标准化技术委员会(SAC／TC 224)归口。 本标准起草单位：杭州能源工程技术有限公司、浙江省能源研究所、佛山市华全电气照明有限公司、绍兴晶彩光电技术有限公司、宁波大学。 本标准主要起草人：陈哲艮、朱萃汉、金步平、区志杨、谢炳高、柯柏权、汪鹏君。
《高等职业教育数控技术专业教学改革成果系列教材：电子技术基础与技能训练》根据五年高职机电、机械类专业电子技术课程的培养目标和教学要求而编写，主要内容包括：半导体的基本知识，半导体三极管及放大电路基础，集成运算放大电路，直流稳压电源，可控整流电路，数字逻辑电路，时序逻辑电，脉冲波形的产生和整形，数/模、模/数转换器。
本标准修改采用了SEMI MF673-1105《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造技术》以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。 《半导体芯片制造技术》针对高职高专学生的特点，以“实用为主、够用为度”为原则，系统地介绍了半导体芯片制
本书是“高新技术科普丛书”之一。作为信息领域的核心技术，半导体光电子技术在光通信、光盘存储、光纤传感、激光加工以及医疗、军事等方面有着重要的应用，它的发展将直接影响世界经济的进展和人类生活水平的提高。全书共11章，第1章介绍半导体光电子技术的由来和发展趋势；第2、3章重点介绍半导体光电子材料和器件工作原理；第4章到第9章介绍半导体激光器、探测器、光波导器件、光电子集成的结构和特性以及外延生长、微细加工等制造技术，同时介绍了CCD、太阳能电池等器件；后两章介绍半导体光电子技术的应用。本书适合从事高技术和信息产业的研究人员、技术人员、生产人员、管理人员阅读，也可供大专院校师生阅读参考。
本标准个性采用SEMI MF 1188-1105《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
《LED及电子产品制作》主要介绍了一些简单实用的电路，共分为5章，其中第1章为新型光源LED电路及其他照明电路，第2章为节能电路，第3章为电源电路及充电器电路，第4章为报警器电路，第5章介绍了一些生活中有趣的实用小电路，附录中介绍了一些与《LED及电子产品制作》相关的电路基础知识。这本书适合广大青少年、电子爱好者阅读，也适合中小学科技实践选用及相关电子技术人员参考。
本标准等同采用IEC 62088：2001《核仪器——闪烁探测器用光电二极管——试验方法》（Nuclear instrumentation-Photodiodes for scintillation detectors-Test procedures，英文第1版）。 为便于使用，本标准做了下列编辑性修改： ——删去IEC 62088：2001的前言和目次； ——调整了少数参量符号的上、下标，并用小数点符号“．”代替作为小数点的逗号“，”； ——在计算公式的参量说明中，用长破折号“——”代替“是”； ——第8章标题“一般要求——数据表”改为“供应商应提供的数据”，并在“工作温度范围Lmax-Lmin和贮存温度范围”一项后增加“工作湿度范围Hmax～Hmin和贮存湿度范围”以及“工作气压范围Pmax～Pmin和贮存气压范围”（在4.2中增加相应符号）。 本标准由中国核工业集团公司提出。 本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。 本标准起
本标准代替GB/T 14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出。
