本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。最后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研
本书围绕半导体照明这一主题，系统地介绍了光度学、色度学的基本知识；发光二极管的材料、器件的机理及其制造技术；LED器件和灯具的光电参数测试方法，驱动和控制方法，可靠性、寿命的测试和分析，以及各种半导体照明的应用技术，并研讨了半导体照明光品质问题。本书内容系统、全面、通过理论联系实际，深入地阐述了半导体照明材料、器件、灯具及照明应用技术；反映了外该领域的科技进步和科技成果；论述了半导体照明研发和产业发展的方向。
本书在介绍电学参数测试原理的基础上，重点介绍了具有国际先进水平的外首台微区电阻率测试仪原理与应用，具有很高的实际应用价值。全书共分11章，1-6章讨论了微区电学参数测试的重要性，综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymasze-wski四探针测试方法；研究四探针测试技术中的共性问题，介绍了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量的原理。7-11章重点讨论了测试技术在材料科学等领域的分析与应用及无接触测量技术。
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。
本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。最后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研
本书比较系统地介绍了音响系统的构成及相关设备，主要内容包括电声基础、电声器件、常用电声设备及数字音频技术，音响系统组成、使用、维护与设计等；简要介绍了会议室灯光基础知识。 本书适合作为从事声像传输、音响工程等领域工作人员的培训教材或参考资料，也可供从事信息、计算机类以及相关专业的人员或音响爱好者参考。
本书结合外LED热设计应用技术，以LED热设计与工程应用为本书的核心内容，全面系统地阐述了LED热设计基础知识和LED热设计实用技术。全书共5章，系统地讲述了LED热设计基础知识、大功率LED衬底及基板、大功率LED热设计、LED驱动电路热设计、LED灯具热设计等内容。
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。
本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
本书共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是本书的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。最后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研
本书在介绍电学参数测试原理的基础上，重点介绍了具有国际先进水平的外首台微区电阻率测试仪原理与应用，具有很高的实际应用价值。全书共分11章，1-6章讨论了微区电学参数测试的重要性，综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymasze-wski四探针测试方法；研究四探针测试技术中的共性问题，介绍了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量的原理。7-11章重点讨论了测试技术在材料科学等领域的分析与应用及无接触测量技术。
电子产品的小型化对晶体管小型化的要求越来越高，各种封装形式的半导体器件应运而生，其种类繁多，令人眼花缭乱。表面贴装器件又称SMD(Surface Mounted Device)，它是一种直接贴焊于印制板(PCB)表面上的器件，表贴晶体管是诸多表面贴装器件的一种。 本书是一本较有特色的晶体管手册，特点是把各种晶体管，如二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管等汇编成一本书，采用国际上流行的ASCII排序方法，即按照字典的方法排序。这种方法非常方便读者的查找。一书在手，基本满足电子产品设计工程师、电子元器件采购人员及维修人员选型查阅。 本书搜集二极管、三极管、场效应晶体管等各类晶体管4万余种。
房海明编著的《LED灯具设计与案例详解》是为 适应我国LED照明技术推广应用的需要，快速提高广 大照明技术人员的设计能力和效率而编写的。 《LED灯具设计与案例详解》共分10章，内容包 括LED照明产业的发展、LED芯片封装知识、灯具的设 计原则、相关标准和检测、风光互补LED路灯设计及 市电路灯设计、LED防爆灯设计、LED投光灯设计、 LED球泡灯设计、LED灯具模拟分析、LED照明产品认 证、LED工程案例分析和附录“LED技术问答”。本书 内容以灯具设计和工程案例解析为主，同时也介绍了 有关LED照明的基础知识。 本书既适合从事LED照明设计和应用的工程技术 人员学习和参考，也适合高等院校相关专业的师生参 考使用。
《半导体锗材料与器件》是全面深入探讨这一技术领域的著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家。 《半导体锗材料与器件》还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从《半导体锗材料与器件》中受益。锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。
本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。
本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
《半导体激光器理论基础》针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。 《半导体激光器理论基础》可以作为光电子专业研究生课程的试用教材，也可以供相关专业的教师和科技人员参考。
