《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》共分12章，较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况；半导体材料的基本性质；晶体结构及其结构缺陷；能带理论的基本知识；pn结和金属半导体接触的特性；硅材料的制备；化合物半导体材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法，制备硅单晶的直拉法和浇铸多晶硅的制备方法以及杂质在硅中的特性；砷化镓材料的特性和制取方法。《太阳能光伏产业：半导体硅材料基础（第2版）》易懂、实用，可作为本科和高职院校硅材料技术专业的教材和从事硅材料生产的技术工人的培训教材，也可供相关专业工程技术人员学习参考。
《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容？这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础？《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材？也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。
为满足培养面向半导体照明上游产业外延、芯片研发和工程应用型人才的需要，本书以LED外延和芯片技术为重点，结合LED外延结构设计方法，贴近LED芯片结构的的制造工艺技术，给出了完整的LED从外延生长、芯片制备和封装技术的知识体系。__eol__全书包括三个部分。靠前部分是外延技术，包括LED材料外延生长技术原理和设备、半导体材料检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备。第二部分是芯片技术，包括LED芯片结构及制备工艺、蓝绿光LED芯片高光提取技术、红黄光LED芯片结构设计与制备工艺，从LED芯片制备基本工艺技术到整体工艺流程，以及优选的高光效结构设计，涵盖了GaN和AlGaInP两个材料系的芯片结构特性及制备过程，介绍了高压LED结构及制备技术。第三部分是LED封装技术, 从封装的目的、光学设计和热学设计方面对封装技术进
本标准修改采用了SEMI MF673-1105《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准按照GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC／TC 336)提出并归口。 本标准起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集团第四十九研究所、中机生产力促进中心。 本标准主要起草人：夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。
本标准修改采用SEMI MF 84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMI MF 397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本书结合近年来LED的技术发展趋势和工程应用实际，系统地介绍了LED的基础理论及其在景观照明、广告设计及室内外装饰工程等领域中的应用知识，并且对工程施工中的常见问题进行了比较详细的分析。全书分为基础理论篇、驱动电路篇、工程施工篇和资料篇，共13章。 本书题材新颖，内容丰富，图文并茂，注重实用性和资料性，可供从事LED产品开发、设计和应用的工程技术人员阅读，也适合电气工程技术人员、建筑工程技术人员和装饰工程技术人员阅读，还可供大中专院校相关专业师生阅读。
《半导体光电器件封装工艺》(陈振源任总主编)针对整个半导体光电器件封装所用条件及工艺流程进行介绍，包括：光电器件封装规范、扩晶工艺、装架工艺、引线焊接工艺、器件封装工艺、产品的检测与包装6个项目，对半导体光电器件封装工艺流程及技术要求都做了说明，内容浅显易懂，注重实际操作工艺及理论联系实际的能力。 《半导体光电器件封装工艺》适合中等职业学校光电相关专业的学生使用，也可以作为光电器件封装技术工人的培训教材。 为了方便教师教学，《半导体光电器件封装工艺》还配有部分技能训练实际操作的教学光盘，供教学使用。
本手册收集了线性IC的模拟功能IC部分，包括比较器、模拟量开关、多路转换器、V-F/F-V转换器、RMS-DC转换器、滤波器、模拟运算器等。
本标准等同采用ISO 15632：2002《半导体探测器X射线能谱仪通则》。 本标准的附录A、附录B为规范性附录。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会归口。
本教材的编写简化了深奥的理论论述，在对基本原理介绍的基础上注重对工艺过程、工艺参数的描述以及工艺参数测量方法的介绍，并在半导体制造的几大工艺技术章节中加入了工艺模拟的内容，弥补了实践课程由于昂贵的设备及过高的实践费用而无法进行实践教学的缺憾。在教材编写过程中，从半导体生产企业获得了大量的工艺设备、工艺过程及工艺参数方面的素材对教材进行了充实。 本教材根据目前集成电路的发展趋势，主要介绍了集成电路工艺的前端部分，即清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦化等几个主要工艺，具体每一道工艺中都详细讲述了工艺的基本原理、工艺的操作过程和工艺对应的设备，并加入了部分工艺模拟的操作，力求把当前比较新的工艺介绍给读者。 本教材主要供高等院校微电子相关专业的高年级本科生或大专
《真空镀膜设备》详细介绍了真空镀膜设备的设计方法与镀膜设备各机构元件的设计计算、设计参数的选择，其中重点、系统地介绍了磁控溅射靶的设计计算和溅射镀膜的膜厚均匀性设计。全书共分13章，主要讲解真空镀膜室结构、镀膜室工件架、真空镀膜机的加热与测温装置、真空镀膜机的抽气系统、真空室电和运动的导入结构、溅射镀膜设备的充布气系统、蒸发源、磁控溅射靶、溅射镀膜的膜厚均匀性等方面的设计与计算。 《真空镀膜设备》有很强的实用性，适合真空镀膜设备的设计制造、真空镀膜设备的应用等与真空镀膜技术有关的行业从事设计、设备操作与维护的技术人员使用，还可用作高等院校相关专业师生的教材及参考书。
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期，不要求必须开设相应的实验课。同时，本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨
“实用电路解读系列”是一套专门为电子技术爱好者和从业人员量身打造的实用性丛书，采用图解的形式和通俗易懂的语言，详细解读了各种实用电路。本书是《LED实用电路解读》，内容包括指示与显示电路、玩具与装饰电路、LED电源电路、LED照明电路、红外LED电路等，还通过许多实例电路的解读，进一步帮助读者理解和掌握LED电路，使读者真正看一个、学一个、懂一个、会一个，而且能够举一反三、不断提高。本书图文并茂、重点突出、直观易懂、实用性强，适合广大电子技术爱好者、家电维修人员和相关行业从业人员阅读学习，并可作为职业技术学校和务工人员上岗培训的基础教材。
本标准修改采用SEMI MF 1617-0304《二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾》。本标准对SEMI MF 1617-0304格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMI MF 1617—0304章条对照一览表。并对SEM1 1617—0304条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。 本标准与SEMI MF 1617-0304相比，主要技术差异如下： ——去掉了“目的”、“关键词”。 ——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。 本标准的附录A和附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
基础知识包含LED显示屏应用领域、行业发展、基本组成和分类，系统连线控制方式，控制卡的功能及其应用；基本技能包括LED显示屏单元板的选型、控制卡的选型、电源的选型、外框的选型，电源线制作、排线（数据线）制作、边框制做、屏组装与调试、软件使用、屏字幕显示与变换共。主要内容包括：LED显示屏基础知识，室内视屏幕场制作，室外信息显示屏制作，室外多色信息显示屏制作，室外全彩LED显示屏制作共5个项目模块，每个项目又分为若干个任务。
本书是“电子爱好者读本”之一，是初学者步入电子应用园地的基础读物。本书内容从半导体基础知识开始，分章介绍了二极管、三极管的工作原理和特性，以及基本放大电路、场效应晶体管、集成运算放大器、功率放大器等。全书各章节选材讲究，内容由浅入深，层次分明，语言简练，图文结合，易学易懂。本书的编写着重物理概念，突出应用性和基本技能的培养。结合各章节的内容，列举了大量典型的应用电路、器件选用知识和检测方法，还推荐了一批质优价廉或极具特色的半导体器件及其使用资料，数据来源确切，可供读者在选用器件或进行电路设计时参考、使用。书中还设置了一些小栏目，以加强知识间的衔接，帮助读者提高分析能力和操作技能。 本书适用于广大电子爱好者，大中专院校、技校以及职业院校的电气类、电子类、机电类专业的师生，以
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。 《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属 半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.
