本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书是作者多年从事电子工艺工作的经验总结。全书分上、下两篇。上篇（ ～6章）汇集了表面组装技术的54项核心工艺，从工程应用角度，全面、系统地对其应用原理进行了解析和说明，对深刻理解SMT的工艺原理、指导实际生产、处理生产现场问题有很大的帮助；下篇（第7～14章）精选了127个典型的组装失效现象或案例，较全面地展示了实际生产中遇到的各种工艺问题，包括由工艺、设计、元器件、PCB、操作、环境等因素引起的工艺问题，对处理现场生产问题、提高组装的可靠性具有 现实的指导作用。本书编写形式新颖，直接切入主题，重点突出，是一本 有价值的工具书，适合有一年以上实际工作经验的电子装联工程师使用，也可作为大学本科、高职院校电子装联专业师生的参考书。
本书是“实用电子技术丛书”之一，从实践和应用的角度介绍了IGBT的概念与一般应用。考虑到IGBT是一种新型功率电子器件，相关理论目前尚不完善，多种理论并存而且各自都有自己的佐证，同时也考虑到本书是针对功率电子领域的入门者与实践者，因此尽量避免了介绍艰深的理论知识而侧重于应用。 本书内容包括认识IGBT、实践入门、IGBT技术参数详解、基本电路、简单设计、范例电路等。作者根据自己的从业经验，试图从应用的角度告诉读者：撇开芯片级的IGBT制造理论和电路设计理论，IGBT用起来并不难。因此本书对于业余爱好者、即将就业的电子专业大学生有启发性作用，对刚刚从事功率电子电路硬件设计的工程师亦有参考价值。
本书作为《半导体照明发光材料及应用》第二版，集中介绍了与半导体照明（即白光LED）用发光材料有关的若干基本概念和基础知识；较系统地论述了白光LED用发光材料的发光特点、发光机制、分类及其与半导体芯片的匹配条件；书中还较全面地总结了国内外在白光LED用发光材料研究、开发与应用领域中取得的*成就，具体阐述近年来新体系发光材料的*研究成果和进展。 本书可供半导体照明领域、白光LED用发光材料的科技工作者、产业界人士，新材料及相关专业领域从事研究、开发及应用的专业技术人员、管理者参考，也可用作相关专业教学参考书。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书在介绍半导体照明器件 发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光 电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面，通过理论联系实际，重点突出了 半导体照明 主题，反映了国内外*的应用技术。
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，分成三部分，共计15章。*部分为半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分为半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分为专用半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献，书后附有部分习题答案。
本书详细描述了基于LED的可见光通信关键器件和应用的研究，填补了国内还没有系统描述可见光通信器件和运用的书籍这一空白。全书共分为11章，第1章给出了可见光通信的基本概念，对其发展历史进行了追溯，研究趋势进行了展望，并且简要介绍了可见光通信的器件和运用；第2~4章详细介绍了可见光通信所采用的器件，包括传统的可见光发射LED器件、新型micro-LED器件和可见光探测器；第5~6章介绍了可见光通信所采用的先进技术和关键算法；第7章介绍了高速VLC通信系统实验，给出了本研究团队基于第2~6章介绍的器件和技术理论基础之上的实验成果；第8~10章主要介绍了可见光通信在定位和手机等方面的新型应用和技术成果；第11章对可见光通信技术的未来发展进行了展望。
电磁兼容性能是电子信息设备和系统设计与使用过程中关注的重要方面。本书围绕电磁干扰三要素，系统阐述了电磁兼容理论，结合工程实践经验给出了电磁干扰问题的分析和解决方法。全书内容包括电磁兼容的内涵、信号完整性分析、非线性效应分析、复杂系统电磁兼容仿真预测、电磁兼容现场测量、电磁兼容设计、电磁兼容维护、电磁兼容评估、电磁防护技术以及电磁兼容新材料、新方法和新技术等。
半导体材料与器件的激光辐照效应是高能激光技术的重要应用基础。陆启生、江天、江厚满、许中杰、赵国民等编*的《半导体材料和器件的激光辐照效应》共分七章，介绍了半导体材料的基本特性，激光在半导体材料中的激发状态、耦合形式、光谱特性和传输特性等，激光在半导体材料中各种吸收的类型和机理，以及吸收的能量在材料中的弛豫和转换的机理及规律，激光辐照下载流子在半导体材料中的输运，单元光电探测器的基本特性和激光辐照效应。讨论了阵列光电探测器对于激光的光学和电学响应及损伤机理。*后着重讨论了半导体材料对于激光辐照的热学和力学的响应及损伤机理等问题。 本书针对的读者群体是在相应领域里从事科学技术研究的研究生和相关的科研工作者。
随着半导体器件和材料科学的发展，越来越多的纳米结构和纳米材料开始出现。界面特性深刻影响着纳米结构的导热及热设计，本书以半导体纳米界面导热特性为主题，针对纳米电子器件和纳米材料的研究前沿问题，对国内外发展动向和研究现状进行了调研和整理，研究融合了当前研究纳米结构界面导热特性的主要手段，力求在数值模拟及实验测量的基础上深入揭示影响纳米结构界面导热特性的主要因素及物理作用机制。本书可供相关专业高年级本科生、研究生以及相关领域科研与教学工作者阅读参考。
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料，但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少，要不数据陈旧，满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据，结合作者多年来的实验数据，编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较，作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件，便于读者进行各种数据处理。手册数据量大，特性齐全，非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
方祖捷、蔡海文、陈高庭、瞿荣辉编*的《单频 半导体激光器--原理技术和应用》对单频半导体激光 器的物理原理、技术和应用进行了完整、全面、深入 的论述，主要内容包括半导体激光器的基本原理和特 性、单片集成单频半导体激光器的原理和特性、外腔 单频半导体激光器的原理和特性、单频半导体激光器 的调谐技术、单频半导体激光器的稳频技术、单频半 导体激光器的锁相技术、单频半导体激光器的应用等 内容。 本书可作为相关领域研发工程师的参考书，也可 作为研究生的教科书和参考书。
《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展，并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括：采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底（主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等）来生长氮化物LED外延材料；还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系（m-GaN//LiGaO2(100)）；通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律，提出了新的LED图形衬底设计方案，设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案（专利授权）；并在此基础上，试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合，大幅度提高了LED的出光效率。
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今*技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的全面、*的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
第1~8章为*部分，主要阐述分立元件模拟电子电路的分析和设计方法。内容包括半导体材料、二极管基本原理及其基本应用电路、场效应管工作原理及其线性放大电路、双极型三极管工作原理及其线性放大电路和应用、频率响应、输出级和功率放大电路等。 第9~15章为第二部分，主要阐述更复杂的模拟电子电路的分析和设计，即运算放大器及构成集成放大电路的基本模块，以及运放的应用等。包括理想运放及其基本应用、集成电路的恒流源偏置电路和有源负载、差分放大电路、反馈及放大电路的稳定性、构成运算放大器的各种电路的分析和设计、模拟集成电路中非理想因素的影响以及有源滤波电路和振荡电路等。第16章和第17章为第三部分，主要阐述数字电子电路的分析和设计。第16章的内容是CMOS数字电路的分析和设计，包括基本逻辑门电路、触发器、寄存器、基本A/D
物理学是研究物质、能量以及它们之间相互作用的科学。她不仅是化学、生命、材料、信息、能源和环境等相关学科的基础，同时还是许多新兴学科和交叉学科的前沿。在科技发展H新月异和国际竞争日趋激烈的今天，物理学不仅囿于基础科学和技术应用研究的范畴，而且在社会发展与人类进步的历史进程中发挥着越来越关键的作用。 我们欣喜地看到，改革开放三十多年来，随着中国政治、经济、教育、文化等领域各项事业的持续稳定发展，我国物理学取得了跨越式的进步，做出了很多为世界瞩目的研究成果。今日的中国物理正在经历一个历史上少有的黄金时代。 在我国物理学科快速发展的背景下，近年来物理学相关书籍也呈现百花齐放的良好态势，在知识传承、学术交流、人才培养等方面发挥着无可替代的作用。从另一方面看，尽管国内各出版社相
