《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

本书是本着突出近代真空镀膜技术进步，注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章，内容包涵了真空镀膜中物理基础，各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求，各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控，真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用，亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。

本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

电子信息材料是发展极为迅速的一类材料，但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少，要不数据陈旧，满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据，结合作者多年来的实验数据，编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较，作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件，便于读者进行各种数据处理。手册数据量大，特性齐全，非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。

本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。

本书分三章，章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景，并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解，如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。

20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现，有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外，各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合，使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。 今天，半导体光电阴极不仅是用于光电探测和计量用的光电倍增管和夜视仪所用像增强器的关键光电转换部件，而且作为电子加速器、自由电子激光器、同步辐射光源、电子束光刻、电子显微镜、太赫兹辐射器以及X射线源等方面的高亮度电子源，也表现出明显的潜力和实用价值。半导体光电阴极的应用领域包括军事、安全、医学、天文、航空航天、生物化学以及光纤通信等诸多方面。 贾欣志编著的《半导体光电阴极》全面介

本书全面汇编了国内外电气和电子设备中所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和带环型号，内容涉及2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分*晶体三极管（包括晶体三极管模块）的型号。全书共分三部分：部分介绍了该手册的查阅方法；第二部分介绍了晶体三极管的型号命名、使用和检测访求等基础知识；第三部分以表格的形式介绍了晶体三极管的型号（国别）、主要参数、构成材料和近似置换。本书内容全面、查阅简单、携带方便，使一班介绍晶体三极管及其模块关键参数和代换资料的*工具书。 本书适合于电气和电子设备维修、设计、研究、生产、制作人员，电子器件销售人员及电子爱好者查阅。

本书从电磁兼容三要素出发，结合电磁兼容法规，深入介绍了电磁兼容问题的基本原理、具体的设计方法和解决措施，并以实际案例进行佐证。本书后介绍了两种快捷实用的电磁干扰和抗干扰解决方法：时频穿越法和递进应力法。时频穿越法借助近场探头和频谱分析仪，准确定位噪声源和传播途径，根据时域和频域下的噪声特性找到针对性的EMI解决方案；递进应力法通过递进干扰源强度的方法来确认产品受到影响的机理，然后采取有效的抗干扰措施。本书介绍的电磁兼容的设计理念和解决方案，不仅适用于LED灯具，也适用于通信电源、医疗电源、充电器、光伏逆变器、电动机驱动以及存在di/dt和du/dt骚扰源的应用场合。

《射频与微波晶体管功率放大器工程》主要阐述射频和微波晶体管功率放大器工程设计的基本理论、方法、设计技巧和工程实现。书中给出了较多的工程设计的实例和实现时需要注意的工程方法，为电子工程师提供了几乎所有的手段，以提高设计效率，缩短设计周期。书中不仅注重功率放大器的基本理论、传统的设计方法，还涉及*的设计理念和分析方法——异相功率放大器、功率放大器中的记忆效应

本书整理了国内外数百家生产厂家生产的几万种双极晶体三极管(简称三极管)的型号及有关参数。书中首先介绍了该手册的使用方法，然后以表格的形式重点介绍了器件型号、材料、参数、厂家、替换型号以及外形参考图。此外，还介绍了各种晶体三极管的外形尺寸图，以供设计人员设计电器产品使用。 本书资料丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便，是各种电子产品的生产、开发、设计、维修、管理人员，电子元器件营销人员以及开设与电子技术相关专业的院校师生的工具书。

全书搜集了近几年国内外数百家生产商生产的三万余种场效应管和晶闸管型号，并采用表格形式将其主要参数、用途及相关信息展现出来，同时还对各类管子的基本常识及手册的应用方法做了较为详细的说明。全书内容丰富，几乎涵盖了当今市面上流行的各种场效应管及晶闸管，是一部实用价值极强的工具书，可供电路设计、电器维修及电子爱好者查阅及收藏，还可作为初学者入门使用。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放

????李晓麟编著的《整机装联工艺与技术》就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。?在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。?《整机装联工艺与技术》配有大量彩色插图，*常适合电装工艺技术人员、电路设计师