本书将电子散热设计分析的基本概念与ANSYS Icepak热仿真实际案例紧密结合，对ANSYS Icepak的基础操作进行了系统的讲解说明，通过大量原创的分析案例，向读者全面介绍ANSYS Icepak电子散热分析模拟的方法、步骤。全书共10章，详细讲解了ANSYS Icepak的技术特征、ANSYS Icepak建立热仿真模型的方法、ANSYS Icepak的网格划分、ANSYS Icepak热模拟的求解及后处理显示、ANSYS Icepak常见技术专题案例、ANSYS Icepak宏命令Macros详细讲解等，并在部分章节列举了相关案例。另外，本书附带在线资源，内容包括部分章节实际操作、相关的案例模型及计算结果，这些资料对读者学习、使用ANSYS Icepak软件有很大的帮助。本书适合作为电子、信息、机械、力学等相关专业的研究生或本科生学习ANSYS Icepak的参考书，也非常适合从事电子散热优化分析的工程技术人员学习参考。

本书经过全面修订，讲解了如何为当今尖端电子产品设计可靠、高性能的开关电源，涵盖现代拓扑结构和变换器，内容包括设计或选择带隙基准、使用详细的新型邻近效应设计方法进行变压器设计、Buck变换器效率损耗分解方法、有源复位技术、拓扑形态学和详细的AC-DC前级电路设计方法。 本版更新包含全面反馈环路的设计方法和实例、世界上第一个宽输入电压范围谐振（LLC）变换器的简化通用设计方法，以及正激和反激变换器的分步比较设计步骤。

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

《晶圆级芯片封装技术》主要从技术和应用两个层面对晶圆级芯片封装（Wafer-Level Chip-Scale Package，WLCSP）技术进行了全面的概述，并以系统的方式介绍了关键的术语，辅以流程图和图表等形式详细介绍了先进的WLCSP技术，如3D晶圆级堆叠、硅通孔（TSV）、微机电系统（MEMS）和光电子应用等，并着重针对其在模拟和功率半导体方面的相关知识进行了具体的讲解。《晶圆级芯片封装技术》主要包括模拟和功率WLCSP的需求和挑战，扇入型和扇出型WLCSP的基本概念、凸点工艺流程、设计注意事项和可靠性评估，WLCSP的可堆叠封装解决方案，晶圆级分立式功率MOSFET封装设计的注意事项，TSV/堆叠芯片WLCSP的模拟和电源集成的解决方案，WLCSP的热管理、设计和分析的关键主题，模拟和功率WLCSP的电气和多物理仿真，WLCSP器件的组装，WLCSP半导体的可靠性和一般测试等内容。 《晶圆级芯

在21世纪，大数据、人工智能等高新信息科技飞速发展之际，自旋电子学凭借其在低功耗非易失存储和存算一体化方面的独特优势，已成为推动后摩尔时代集成电路革命性创新的关键技术。全书共10章。第1章概述自旋电子学的发展历程；第2章详细介绍自旋轨道力矩效应的物理原理、检测技术、材料选择及其调控与应用；第3章讨论电控磁效应的材料体系、物理机制和器件实用性；第4章专注于反铁磁自旋电子学，探讨反铁磁磁矩的调控与检测方法；第5章从横向输运、纵向输运和相干输运三个角度全面介绍磁子学；第6章解析磁斯格明子的生成、探测及其动力学特性，并探讨其在器件中的应用前景；第7章和第8章简要介绍拓扑磁性和二维磁性；第9章和第10章则阐述自旋电子学与光学、声学的交叉研究领域。

《电子管音频放大器入门级制作10例》收录了MJ音频艺术节及其他试听活动中实际使用的10款电子管放大器，供初学者制作和学习。如今，电子管放大器的设计技术仍在进步，资深爱好者可借鉴《电子管音频放大器入门级制作10例》的设计理念与制作经验，创新设计与制作方法。 为了降低制作难度，电路设计上留有较大的裕量，以弥补元器件参数偏差与电子管离散性，配合实物配线图，用一块万用表就能完成调试和制作。此外，元器件均选用容易购买且成本低廉的常用件，以期读者在制作电子管放大器的过程中产生兴趣，进而钻研Hi-Fi音频放大器技术。

电子管放大器以其独特的 高保真 音质，令广大音响发烧友趋之若鹜。这也是过去几十年电子管在半导体器件的碾压下，偏居一隅却历久弥坚的主要原因。 本书结合历年来见诸报道的电子管放大器制作，特别是知名品牌电子管放大器所用的管型，从适合音频放大的发射管、电视机用电子管中，遴选以300B、2A3、KT88和EL34为代表的功率放大管，以12AX7、12AT7、12AU7、6SN7和6DJ8为代表的电压放大管，以及整流管等约200种电子管，整理主要参数，总结应用经验

性电子转印是实现器件功能封装、产品包装必须要解决的核心工艺之一。面对日趋超薄化的芯片，实现其无损转印对于降低封装成本，提高产品成品率、改善器件可靠性等有着显著意义。本书从建模、机理和工艺等方面入手，先针对单顶针和多顶针推顶剥离方式下的超薄芯片无损剥离技术进行了深入分析；接着，以器件层-粘胶层-载带层柔性三层结构为对象，研究了基于卷到卷系统的辊筒共形剥离和卷到卷转移工艺；然后，针对厚度可能仅为几微米的更薄芯片，初步探索了更加先进和具有挑战性的激光转移技术；之后，对目前关于转印技术的研究现状进行了总结分析；*后，对芯片真空拾取和贴装工艺进行了探讨，建立了真空拾取与高密度贴装的理论工艺窗口。

脉冲功率技术在军事和工业的众多领域都有着广泛应用。脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件之一,由于半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等优点,脉冲功率开关出现了半导体化的趋势。本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述,然后分别论述了电流控制型器件(具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管)和电压控制型器件(具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用,特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关(包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管)的机理模型和实际运用等问题 ,论述了部分新型碳化硅基器件,最后阐述了脉冲功率应用技术。

本书系统地介绍了声表面波压电与叉指换能器材料、各种声表面波器件设计及其制备工艺。全书共6章。第1章介绍声表面波技术的原理与发展历程、声表面波器件的特点与应用。第2章介绍声表面波器件用的各类压电材料压电单晶、压电陶资以及压电薄膜的制备、性能与特点，重点介绍氧化钵压电薄膜材料制备与改性。第3章阐述叉指换能器的设计理论与叉指换能器材料。第4章介绍多层薄膜声表面波器件的理论设计和具体实例。第5章介绍声表面波滤波器、延迟线、谐振器和传感器的特点与设计。第6章介绍声表面波器件的制备工艺及其表征方法。

本书采用实物照片加上详细图注的方式对各种元器件进行详细介绍，使读者可以"零距离”地认识这些元器件；在写作形式上，力求通俗易懂，以满足不同文化层次的读者需求；在内容上，花费大量篇幅讲述最常用、最实用的元器件资料，一些应用范围很小的元器件则只做简单介绍，可使读者能够学习到电子元器件知识的"精华”，做到"学以致用”。

《氮化镓电子器件热管理》概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓（GaN）及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术——栅电阻测温法、超晶格梯形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温

机电工程数字化手册系列*新电子器件置换手册(软件版)《*新电子器件置换手册》编写组编著机?械?工?业?出?版?社本手册全面汇编了国内外电气与电子设备中所使用的晶体二极管、晶体三极管、晶闸管以及场效应晶体管及其模块的实用关键参数和代换型号。每一种电子器件包括三部分内容：**部分介绍该器件手册的查询方法；第二部分介绍了该器件的结构、命名、参数、使用和检测方法等基础知识；第三部分以通用数表的形式介绍器件的型号（国别）、关键参数、材料或类别、近似置换和备注。在此基础上，实现两种不同方式的器件查询，其一是按照器件的

本书是一本关于电子电器产品电磁兼容设计与整改对策分析的工具书，从元器件选择、电路设计、印制电路板设计、接地、屏蔽、滤波、产品内部结构布局、电缆分类敷设等方面，对电磁兼容设计进行了比较系统的介绍；对传导骚扰、辐射骚扰、谐波电流、静电放电、电快速瞬变脉冲群、雷击浪涌、传导抗扰度、辐射抗扰度等方面的电磁兼容问题进行了介绍，对整改对策进行了重点的分析和讲解,并通过实际工作中积累的大量整改实例，介绍并分析具体的整改过程及整改思路，同时为便于产品设计人员的使用及保持知识的连贯性，在本书的开头对与电磁兼容设计和整改相关的电磁兼容基础理论和测量方面的知识做了简要介绍。

本书从一种新型红外玻璃材料——硫系玻璃的结构、组成、光学特性、稀土发光、玻璃陶瓷的基本特性入手，深入阐述了其制备技术以及硫系块状玻璃、光纤、薄膜、波导等各类硫系光子器件在红外光学系统、红外激光导能、红外超连续谱、拉曼光纤激光器、集成光波导领域的 研究进展与发展趋势。 本书可作为高等院校光电信息科学与工程、电子科学与技术、材料科学与工程等专业研究生及高年级本科生的教材或教学参考用书，也可作为其他相关专业科技人员的参考用书。

GB／T 17564《电气元器件的标准数据元素类型和相关分类模式》分为5个部分： ——第1部分：定义——原则和方法； ——第2部分：EXPRESS字典模式； ——第3部分：维护和认证的程序； ——第4部分：IEC标准数据元素类型和元器件类别基准集； ——第5部分：EXPRESS字典模式扩展。 本部分为GB／T 17564的第4部分。本部分等同采用IEC 61360—4：2005《电气元器件的标准数据 元素类型及相关分类模式第4部分：IEC标准数据元素类型和元器件类别基准集》。 本部分代替GB／T 17564．4—2001《电气元器件的标准数据元素类型及相关分类模式 第4部分： IEC标准数据元素类型、元器件类别和项的基准集》，与GB／T l7564．4—2001相比主要变化如下： ——删除了名称中的“项”(item)以及基准集中有关“项”的内容； ——增加了元器件几何外形并进行了详细的分类；

本书主要内容涉及多核处理器设计优化的三个方面：低功耗、高可靠和易测试；从处理器核、片上互连网络和内存系统三个方面论述多核处理器设计的低功耗和高可靠优化方法；从逻辑电路的可测试性体系结构以及存储器电路的自测试方面论述多核处理器的可测试性设计方法；从新型三维堆叠架构以及异构数据中心系统层面论述多核处理器的能效提升方法；并以 计算技术研究所自主研发的DPU-M多核处理器为例，介绍相关成果的应用。