本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识，并给出许多典型设计与应用实例。较之于*版，本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章，内容主要包括LED及其驱动电源基础知识，LED驱动电源的基本原理，LED驱动电源的设计与应用指南，LED灯具保护电路的设计，从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则，从LED驱动电源的基本原理，到LED驱动电源各单元电路的设计，再到整机电路设计，可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。
本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。
《LED灯具设计》全部采用彩色印刷，文字清晰，插图非常精美。《LED灯具设计》的特点在于融合了灯具设计的光学、电气等理工科专业知识与造型、材料等艺术类专业知识，按照灯具产品从设计到生产涉及的知识来组织知识结构，全面介绍灯具设计各个方面，详细叙述了灯具光学设计、造型设计的要素及方法、灯具检测与组装等知识，主要内容包括：灯具概述、灯具设计原则与要素、灯具光学设计、灯具造型设计、LED灯具设计、灯具检测、典型灯具产品组装与工程施工等。 同时，《LED灯具设计》为了适应职业教育改革的需要，贯彻以培养高职高专学生以实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想，力求体现精炼与实用，是一本难得的文理兼修的综合性教材。 《LED灯具设计》可供电光源技术爱好者或者灯具设计施工人员阅读参考，本书还适用于高等职
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。 对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属 半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。最后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的 成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
《半导体 封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体 封装技术》共分为11章，重点介绍了 封装，系统级封装，扇入型晶圆级/板级芯片尺寸封装，扇出型晶圆级/板级封装，2D、2.1D和2.3D IC集成，2.5D IC集成，3D IC集成和3D IC封装，混合键合，芯粒异质集成，低损耗介电材料和 封装未来趋势等内容。通过对这些内容的学习，能够让读者快速学会解决 封装问题的方法。 《半导体 封装技术》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
《太阳能光伏发电系统设计施工与应用》系统介绍了太阳能光伏发电系统各组成部分的工作原理、性能参数以及选用方法，重点介绍了太阳能光伏发电系统的容量设计、配置选型、安装施工、检查测试、运行维护及故障排除，还介绍了光伏发电系统设计应用实例以及光伏发电新技术应用等方面的内容，并给出了具体设计实例和部分实用资料。 《太阳能光伏发电系统设计施工与应用》内容翔实、图文并茂，具有较高的实用性，适合从事太阳能光伏发电系统设计、施工、维护及应用方面的工程技术人员阅读，也可供大专院校相关专业的师生学习参考。
中国战略性新兴产业 新材料 丛书是中国材料研究学会组织编写的，被新闻出版广电总局批准为 十二五 国家重点出版物出版规划项目，并获2016年度国家出版基金资助。丛书共16分册，涵盖了新型功能材料、高性能结构材料、高性能纤维复合材料等16种重点发展材料。本分册为《第三代半导体材料》。本书主要论述了Ⅲ族氮化物半导体材料、SiC半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料、金刚石材料的基本理论、制备技术、相关电子器件及其发展现状和趋势，半导体照明的现状、发展趋势、竞争格局，并论述了我国第三代半导体材料产业的战略意义及发展战略。本书可供新材料科研院所、高等院校、新材料产业界、政府相关部门、新材料中介咨询机构等领域的人员参考，也可作为高等院校相关专业的大学生、研究生的教材或参考书。
本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识，并给出许多典型设计与应用实例。较之于靠前版，本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章，内容主要包括LED及其驱动电源基础知识，LED驱动电源的基本原理，LED驱动电源的设计与应用指南，LED灯具保护电路的设计，从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则，从LED驱动电源的基本原理，到LED驱动电源各单元电路的设计，再到整机电路设计，可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。
随着节能环保、低碳社会意识的普及和深入，LED照明技术的应用已活跃于商业和家居照明领域。本书围绕着LED照明工程设计与施工的技术主题，深入浅出地介绍了LED照明原理和LED照明器材，照明工程设计基础，照明配电、照明控制及智能化技术，室内、外照明工程的设计、施工和验收方法，并列举了典型照明工程设计案例，具有较强的现实指导意义。本书可供从事建筑、道路、景观等照明工程设计、施工、验收的工程技术人员阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。
本书以轻松有趣、通俗易懂的漫画及故事的方式将抽象、复杂的半导体知识融会其中，让人们在看故事的过程中就能完成对半导体相关知识的“扫盲”。这是一本实用性很强的图书，与我们传统的教科书比较起来，具有几大突山的特点，一漫画的形式 易于让人接受，二边读故事边学知识，轻松且易于记忆，三吏能让读者明白并记住半导体相关问题在现实生活中的应用。
本书是作者多年从事电子工艺工作的经验总结。全书分上、下两篇。上篇（ ～6章）汇集了表面组装技术的54项核心工艺，从工程应用角度，全面、系统地对其应用原理进行了解析和说明，对深刻理解SMT的工艺原理、指导实际生产、处理生产现场问题有很大的帮助；下篇（第7～14章）精选了127个典型的组装失效现象或案例，较全面地展示了实际生产中遇到的各种工艺问题，包括由工艺、设计、元器件、PCB、操作、环境等因素引起的工艺问题，对处理现场生产问题、提高组装的可靠性具有 现实的指导作用。本书编写形式新颖，直接切入主题，重点突出，是一本 有价值的工具书，适合有一年以上实际工作经验的电子装联工程师使用，也可作为大学本科、高职院校电子装联专业师生的参考书。
《常用晶闸管触发器集成电路及应用》是“高科实用电力电子技术丛书”之一。《常用晶闸管触发器集成电路及应用》详细介绍了各种常用晶闸管触发器集成电路及其使用技术，内容包括常用晶闸管触发器集成电路的型号、引脚排列、参数限制、内部结构和工作原理、应用举例及典型工作波形等，列举并细致分析了多个已批量投入工程实际中应用的典型电力电子变流系统专用控制板实例。 《常用晶闸管触发器集成电路及应用》理论联系实际，内容丰富，图文并茂，语言通俗易懂，是一本实用电力电子技术参考书，可作为晶闸管为主功率器件的电力电子变流设备及特种电源设计、调试、安装和制造及研究开发的技术人员的实用参考书，也可供工科院校和从事电力电子行业及相近专业的广大师生参考。
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术，在内容上涵盖了从基础知识到 技术，使初学者能够了解干法刻蚀的机理，而无需复杂的数值公式或方程。《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺，而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术，介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理，例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体，并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
