本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展,用一种可读性强的、非正式的写作方式,一方面,它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用;另一方面,它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求,以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员,以及非专业的科学爱好者。
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性,以及功率应用中不同类型的器件结构,同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造,以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计,以及SiC和GaN功率器件的应用。 对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiC MOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的 成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向 ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向 ALE的全新研究和进展。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例,例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀,有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》概念清晰,资料丰富,内容新颖,可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。
这是一部由各个领域重量专家共同编写的关于半导体纳米结构的专著,内容包括量子点、自组织生长理论、电子激子态理论、光学特性和各种材料中的输运等。它涵盖了从上世纪九十年代早期到现在的研究工作。本书中的专题都
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺
本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题,介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述,包括 外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4~7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响,提出多种批间控制衍生算法,包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变 因子EWMA批间控制算法、偏移补偿批间控制算法、基于T-S模糊模型的批间控制算法。第8~11章介绍半导体制造过程的性能和过程监控方法,包括:设计模型评价指标进行建模质量评估;提出基于时间序列模型的批间控制系统过程监控方法,进一步提出二维动态批次过程的建模和稳定性评价指标;提出基于数据的故障预测方法。
以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头,集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表,在各自的研究领域结合各自多年的实际经验,撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点,以技术为 、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述,内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链,不仅表述了碳化硅各环节的科学原理,还介绍了各种相关的工艺技术。本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义,适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读,也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。
%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;“中外物理学精品书系”另一个突出特点是,在把西方物理的精华要义“请进来”的同时,也将我国近现代物理的很好成果“送出去”。
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这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章,包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、产业形态;第2章的理解导体、 缘体和半导体的区别,以及P型半导体和N型半导体的特性;第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、CMOS等;第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读,也可以作为相关企 人员的科普读物。
本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用,内容集学术性与实用性为一体。全书共12章,内容包括:Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论,InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED,AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED,Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析,LED的应用, 介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章,包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色能源时代等。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。
《第三代半导体产业人才发展指南》汇集了 20余家行业协会、产业协会、研究机构、高校等的学者、研究人员、产业人士、技术专家,全景解析了我国第三代半导体产业发展及人才状况,剖析了第三代半导体产业政策,并给出了第三代半导体产业从业人员能力体系、第三代半导体产业贯通人才培养体系、第三代半导体产业从业人员能力提升体系建设的指导方案。*后从宏观上剖析了第三代半导体产业 化人才培养和第三代半导体产业人才培养案例。