《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。

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模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导编程演算。

场发射冷阴极在显示技术、微波能源及高频电子等方面具有十分重要的应用。本书基于作者多年来在纳米半导体场发射冷阴极方面的工作积累，对该领域的发展历程、理论基础、设计模型与制备性能进行了系统的介绍与讨论，期望为新型纳米半导体场发射冷阴极研发与器件应用提供指导与参考。本书主要包括以下内容：半导体场发射理论模型及其在纳米体系下的场发射理论模型的适用性问题；半导体量子结构增强场发射基本原理与思想；从实验与理论两方面系统探讨了不同的量子结构(晶轴取向、膜厚膜层、组分搭配、掺杂浓度及表面处理等)半导体薄膜的场电子发射特性、场发射耦合增强物理机制及其能谱特性。*后，对纳米半导体场发射冷阴极器件的发展与应用进行了展望。

本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章，重点介绍光纤光学技术的进展，其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用，并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性，书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术，例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等，部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。

本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章，包括第1章THz波产生、探测与应用概述；第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运；第3章电子学THz振荡器与器件模拟；第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学；第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学；第6章石墨烯THz光电特性；第7章THz半导体量子级联激光器；第8章THz半导体量子阱探测器；第9章THz波的传输；第10章THz通信；第11章THz成像。

本书是由M.I.Dyakonov教授主编的一本关于半导体中的自旋物理学的图书,共13章,每一章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写的，详尽描述了半导体自旋物理学当前研究的全貌。首先概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识(第1章)；然后讨论了量子阱和量子点中自由载流子和激子的自旋动力学(第2-4章)；第5章详细介绍了研究半导体自旋电子学的光学实验方法，包括时间分辨荧光光谱、时间分辨法拉第/克尔旋转谱以及一种新测量技术--自旋噪音谱；第6章讨论了载流子的自旋动力学，而第7章研究了硅材料中受限电子的自旋性质；第8-9章讨论了自旋流与电荷流之间的关系；第10章专门讲述自旋注入问题；第11-12章详尽叙述了电子和原子核之间的超精细相互作用；第13章也就是最后一章讨论了稀磁性半导体的基本物理性质和光学性质。这是一本非常好的

本书在介绍半导体照明器件——发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光%26nbsp;电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统

本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。

本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、 性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。

《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章：章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料，包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长；第3章介绍SiC高频功率器件，包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介绍GaN微波功率器件与电路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT；第5章介绍正在发展中的固态新型器件，包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。

《真空镀膜设备》详细介绍了真空镀膜设备的设计方法与镀膜设备各机构元件的设计计算、设计参数的选择，其中重点、系统地介绍了磁控溅射靶的设计计算和溅射镀膜的膜厚均匀性设计。全书共分13章，主要讲解真空镀膜室结构、镀膜室工件架、真空镀膜机的加热与测温装置、真空镀膜机的抽气系统、真空室电和运动的导入结构、溅射镀膜设备的充布气系统、蒸发源、磁控溅射靶、溅射镀膜的膜厚均匀性等方面的设计与计算。 《真空镀膜设备》有很强的实用性，适合真空镀膜设备的设计制造、真空镀膜设备的应用等与真空镀膜技术有关的行业从事设计、设备操作与维护的技术人员使用，还可用作高等院校相关专业师生的教材及参考书。

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。

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随着 的集成电路工艺节点不断向纳米级推进，对半导体纳米器件的研究就显得越发重要。本书详细介绍了半导体纳米器件的物理学原理、结构、制造工艺及应用等内容。开篇介绍了这一研究领域在过去几十年的发展；前半部分重点介绍电子纳米器件，包括准一维电子气、强电子相关的测量、量子点的热电特性、单电子源、量子电流标准、电子量子光学、噪声测量、拓扑 缘体纳米带、硅量子比特器件等；后半部分介绍光电子纳米器件，包括半导体量子点单光子源的电学控制、量子点太阳能电池、量子点激光器、纳米线激光器，以及氮化物单光子源等内容。 本书可供半导体器件、材料、物理相关科研人员和工程技术人员阅读参考，也可作为高校相关专业的拓展学习资料。

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