本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先,章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着,本书分为三个部分: 部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分(0-14章)则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技
本书是“实用电子技术丛书”之一,从实践和应用的角度介绍了IGBT的概念与一般应用。考虑到IGBT是一种新型功率电子器件,相关理论目前尚不完善,多种理论并存而且各自都有自己的佐证,同时也考虑到本书是针对功率电子领域的入门者与实践者,因此尽量避免了介绍艰深的理论知识而侧重于应用。 本书内容包括认识IGBT、实践入门、IGBT技术参数详解、基本电路、简单设计、范例电路等。作者根据自己的从业经验,试图从应用的角度告诉读者:撇开芯片级的IGBT制造理论和电路设计理论,IGBT用起来并不难。因此本书对于业余爱好者、即将就业的电子专业大学生有启发性作用,对刚刚从事功率电子电路硬件设计的工程师亦有参考价值。
本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术;扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨
本书共11章,以硅集成电路为中心,重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大,设计可靠性越来越重要,在设计阶段借助可靠性仿真技术,评价设计出的集成电路可靠性能力,针对电路设计中的可靠性薄弱环节,通过设计加固,可以有效提高产品的可靠性水平,提高产品的竞争力。
本书主要介绍LED照明的各项实用应用技术,主要包括:LED照明光学设计技术、LED照明散热设计技术、LED照明驱动设计技术、LED智能照明控制技术、LED照明设计技术、LED照明的其他技术、LED灯具测量技术及LED照明的应用。全书重基础、宽口径、多原理、少工艺,注重原理与机制的阐述,图文并茂、深入浅出。
本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品,以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程,工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。
本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材,介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺,以及特性的控制等。全书共13章:第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷;第5章为硅外延生长;第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体;第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长;第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体;第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体;第10章为低维结构半导体材料;第11章为氧化物半导体材料;第12章为照明半导体材料;第13章为其他半导体材料。
本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展,论述全面,涵盖了近年来的新技术成果。书中讲解了静态*存取存储器技术、高性能的动态*存取存储器、专用DRAM的结构和设计,先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用,以及未来存储器的发展方向等。DRAM作为新一代半导体产品制造技术的推动者,除用于计算机领域之外,还用于汽车、航空、航天、电信以及无线工业等领域。近年来,新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展,包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。 本书适合作为大学微电子专业高年级本科生及研究生的教材,也可作为从事半导体制造与研究的工作人员的参考用书。
本书由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理和工作特性。为便于读者自学和参考,本书首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识;然后重点论述了PN结、双极型晶体管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数和器件几何结构参数的关系;*后简要讲述了功率MOSFET、IGBT和光电器件等其他常用半导体器件的原理及应用。
《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容?这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础?《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材?也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。
半导体光电子学是研究半导体中光子与电子相互作用、光能与电能相互转换的一门科学,涉及量子力学、固体物理、半导体物理等一些基础物理,也关联着半导体光电子材料及其相关器件,在信息和能源等领域有着广泛的应用。本书是作者在1989年原版基础上经过修改和较大篇幅的内容更新与拓展而成的,将半导体中电子与光子的相互作用、光能与电能的相互转换贯穿始终,重点关注各种光电子器件在材料、结构上的兼容性和实现集成功能的可能性,力求反映半导体光电子学的一些主要和*的进展。全书共分10章,第1~5章和第9章是原版内容的修改和扩充,包括半导体中光子-电子的互作用、异质结、平板介质光波导理论、异质结半导体激光器、半导体激光器的性能、半导体中的光吸收和光探测器;其余4章是依据半导体光电子学的*进展而编写的,包括低维量子半导
《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要目的是通过对作者在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件模型研究和测试技术方面所作的研究工作加以回顾和总结,以利于今后研究工作的深入开展。《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》的核心内容源自作者单独或者与新加坡、德国和加拿大研究学者合作发表在国际重要期刊的文章,作者希望这些想法、概念和技术能够为国内外同行共享。