本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

本书以清晰的物理图像和丰富的实验结果比较全面地介绍了基于半导体量子点激子的量子计算和量子信息方面的*研究进展。全书共分8章，第1章和第2章是半导体量子点形貌结构和基本特性简要介绍；第3章至第5章是关于激子量子比特旋转和量子逻辑运算等量子计算方面的研究进展；第6章至第8章则是关于激子复合单光子发射和纠缠光子对发射等量子信息方面的研究进展。 本书可以作为凝聚态物理、光学、材料科学、量子计算科学等有关专业的高年级本科生和研究生的教学参考书，也可供上述领域的科技工作者参考。

低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重要组成部分，它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作、器件性能与载流子输运动力学等内容，本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子输运器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。

《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的小的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系

本书共十七章， 分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容，包括结构和结合性质，半导体中的电子状态，载流子的平衡统计，过剩载流子，接触现象，半导体表面和MIS结构，微结构和超晶格，半导体的光吸收，半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题，包括载流子的散射，热现象，复杂能带输运，热载流子，强磁场下的输运和磁光现象，半导体中自旋相关的现象，非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。