本书以LED应用技术为主题，以驱动电路设计和照明工程施工应用为两条主线，有针对性地介绍了LED新技术进展，LED照明技术应用，LED驱动电路开发、设计及应用要点，LED照明电路设计、工程施工的步骤、方法和注意事项等内容。本书内容丰富、图文并茂、技术先进，精选了77个工程案例进行分析讲解，以启迪读者思路，并达到举一反三、学以致用的效果，这些案例都具有很强的实用性，参考价值相当高。本书可供从事LED技术研究与应用的工程技术人员参考使用，也可作为职业院校电子、电工专业师生的辅助教材和课外读物。

本书力图以通俗易懂的方式，介绍电力电子器件的原理与应用技术，重点介绍了PN结原理，二极管、功率场效应晶体管（MOS．FET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、晶闸管、集成门极换向晶闸管（IGCT）的原理、特性、保护、驱动等。根据现代电力电子器件发展的特点，本书还介绍了NPT、PT、Trench结构，逆阻型IGBT等器件概念和SiC二极管、CoolMOS、同步整流器等新技术，另外结合器件的特点，介绍了相应的典型功率变换电路。 本书可作为电力电子与电气传动专业及相关专业的工程技术人员和研究生的参考书，也可作为从事开关电源、变频器、逆变器、UPS等电力电子装置开发、设计工程技术人员的参考书。

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

稳定受控的半导体制造工艺是实现芯片高可靠性水平的重要方法。本书从工序能力指数、统计过程控制和实验设计三个方面展开，详细讲述三种技术的常规理论和特殊应用方法和模型。内容包括常规工序能力指数，特殊工序能力指数，常规过程控制技术，特殊过程控制技术，实验设计及工艺表征以及系统健康管理概念。

本书围绕半导体照明这一主题，系统地介绍了光度学、色度学的基本知识；发光二极管的材料、器件的机理及其制造技术；LED器件和灯具的光电参数测试方法，驱动和控制方法，可靠性、寿命的测试和分析，以及各种半导体照明的应用技术，并研讨了半导体照明光品质问题。本书内容系统、全面、通过理论联系实际，深入地阐述了半导体照明材料、器件、灯具及照明应用技术；反映了外该领域的科技进步和科技成果；论述了半导体照明研发和产业发展的方向。

LED因其高效节能环保等诸多优点成为照明领域的未来方向。《LED电源设计指南》讲述LED的各种实践知识，以及如何根据这些知识进行实际照明设计。书中内容共分为12章，将理论与实践结合，为读者提供LED电源设计的背景知识以及实战指南。 《LED电源设计指南》适合LED电源设计工程师以及照明行业的相关技术人员。

半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件，和半导体激光器一样，是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器（EDFA）后来居上，在光纤通信中获得应用，但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章，前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6～8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及

本书深入浅出地介绍了“发光二极管是什么”、“发光二极管有哪些特征”、“发光二极管将来会有怎样的发展”。发光二极管与传统光源相比，具有以下几个特点：，作为照明光源省电；第二，使用寿命长；第三，体积小。本书以发光二极管的各个侧面为切入点，引进话题，采取图表解释法通俗易懂地加以介绍。本书共分6章，内容为发光二极管的特征、光的基础知识、各种各样的光源、认识在身边使用的发光二极管、发光二极管的性能、运用自如的发光二极管。 本书适用于相关专业的中专生、非电专业的大专和大学生，以及电子爱好者阅读。

本书首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势；最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的研究进展。 本书可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。

《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。