内容简介： 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的*进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名*公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书

全书以Cadence 17.4为平台，介绍讲述了电路的设计与仿真。全书共12章，内容包括Cadence基础入门、原理图库、原理图基础、原理图环境设置、元件操作、原理图的电气连接、原理图的后续处理、仿真电路、创建PCB封装库、印刷电路板设计、布局和布线。在介绍的过程中，作者根据自己多年的经验及学习的通常心理，及时给出总结和相关提示，帮助读者及时快捷地掌握所学知识。全书解说翔实，图文并茂，语言简洁，思路清晰。

集成电路是现代电子技术的核心，随着集成电路产业迅猛发展，对专业人才的需求正急剧上升。本书从集成电路制造的工艺、设备、厂务 3 个关键内容出发，融合了集成电路制造的理论基础和前沿实践技术，深入浅出地探讨了集成电路制造的全过程。通过大量工艺设备的使用案例分析、实验数据、设备操作标准程序和教学实践视频，帮助读者掌握实际操作。此外，在介绍当前主流制造技术的同时，还深入讲解了产业界量产设备的基本原理、动力需求和应用实践。 上海科技大学材料器件中心聚焦集成电路先进制造领域卓越工程师的人才培养任务，依托先进一流的设备资源、资深工程师团队，联合产业界专家，将集成电路先进制造理论与实践有机结合，精心打造本书，旨在为读者提供全面、深入且实用的学习资料。本书不仅适用于本科生、研究生，对从事集成电路

本书全面介绍使用Verilog进行RTL设计的ASIC设计流程和综合方法。 本书共20章，内容包括ASIC设计流程、时序设计、多时钟域设计、低功耗的设计考虑因素、架构和微架构设计、设计约束和SDC命令、综合和优化技巧、可测试性设计、时序分析、物理设计、典型案例等。本书提供了大量的练习题和案例分析，可以帮助读者更好地理解和掌握所学的知识。

本书将理论与现实应用进行了有效的融合。作者将重点放在实际环境中以帮助学生获得实际的感悟，并提供一种作出正确合理设计决策的方法。本书文笔流畅，描述直接明快，易为读者所接受。本书是为面向运算放大器和模拟集成电路设计的课程所用，对实际工作的工程师也是一本综合性的参考书。

本书以Cadence Allegro SPB 17.2为基础，以具体的高速PCB为范例，详尽讲解了IBIS模型的建立、高速PCB的预布局、拓扑结构的提取、反射分析、串扰分析、时序分析、约束驱动布线、差分对设计、板级仿真、AMI生成器、仿真DDR4等信号完整性分析，以及集成直流电源分析、分析模型管理器、协同仿真、2.5D内插器封装的热分析、AMM和PDC的结合等电源完整性分析内容。

全书共分5个单元，单元，主要介绍单晶硅衬底结构特点，体硅和外延硅片的制造方法；第二单元~第五单元，主要介绍硅芯片制造基本单项工艺（氧化、掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试）的原理、方法、设备，以及依托的技术基础和发展趋势。每单元后都有习题。另外，还在录中以双极性晶体管制作为例介绍微电子生产实习等内容。