自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来,这一研究领域持续受到广泛关注,先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖,除了卡末林?昂内斯,还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗,超导电子学领域开拓者约瑟夫森,高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒,以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫,可见超导体研究不断出现突破性的进展,或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作,并对超导应用前景进行了展望,超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理;第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析;第5章结合具体的半导体材料,介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
第二代涂层超导体(简称YBCO涂层超导材料)由于其高的临界转变温度以及高的不可逆场,在医学、军事、发电以及输电等领域有着广泛的应用。由于YBCO需要严格的双轴织构才能承载大的传输电流,所以在制备YBCO带材的过程中,普遍采用在韧性金属基带上沉积过渡层并外延生长出YBCO超导层的方法。现阶段最成熟的第二代涂层超导带材的制备路线分别是RABiTS和IBAD技术,近年来上述两种路线的研究都得到了长足的发展。另外获得高性能的金属模板层是制备具有高载流能力的涂层超导体线带材的基础。本书将围绕制备涂层超导体的RABiTS技术和IBAD技术,以及采用压延辅助双轴织构基板技术制备用于涂层超导的织构模板层及应用等多个方面,全面系统的总结并展示这个领域的最新研究现状和未来的发展方向。
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质,包括晶体生长,能带结构,光学性质,晶格振动,自由载流子的激发、运输和复合,杂质缺陷,表面界面,二维电子气,超晶格和量子阱,器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。
nbsp nbsp《d-Wave Superconductivity(d波超导体)》以高温超导体为背景,主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质,作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果;强调物理图像的描述,对重要的理论结果都有比较完整的推导,反映了作者对高温超导前沿问题的理解,同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念,并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念,例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等,也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质,其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为,d波超导体准粒子的
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点,被认为是新一代理想的半导体材料,制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上,本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性,并在此基础上构建缺陷结构模型,揭示光致变色机理。
本书从半导体物理学与现代高科技之间互为驱动的关系出发,在纵观近三十年来国内外重大进展的基础上,研讨了半导体物理学各个分支学科涌现出来的新概念、新突破和新方向,以及它们对半导体物理学学科发展的影响与贡献,分析了半导体物理学的研究现状及面临的挑战和机遇。
《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后,比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法,同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序,用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析,从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外,《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读,对该领域的研究生也会有所裨益。
格伦德曼所著《半导体物理学(第2版)》是一部分讲述半导体物理学的教材,为高年级本科生、研究生学习这门学科提供了大量丰富的材料,使得读者能够进入更深层次的学习和研究。一方面,这部教材是固态物理学和半导体物理之间的一个很好的平衡;另外一方面,是各种各样的半导体设备和它们在电子和光子设备中应用的很好展示。书中强调了半导体,如合金、异质结构、纳米结构等领域的实际应用方面,这些都是半导体物理学研究不可或缺,但又常常被忽略。
本书是吴亚非主编的《大学物理》(第二版)教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点,并做了适当的扩展,另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。
低维半导体物理是现代半导体物理和凝聚态物理的重要组成部分,蕴藏着丰富的科学内涵。它的主要研究对象是各种低维半导体材料与结构的电子性质,在电场、光照与磁场作用下的物理性质。彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。 《低维半导体物理》可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材,也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有的深度和广度。