半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读，也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章，重点介绍光纤光学技术的进展，其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用，并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性，书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术，例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等，部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。

模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导编程演算。《BR》本书适合有关专业的大学高年级学生、研究生、研究人员和教师作为专业教材、参考书或自修提高的读物。

模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导编程演算。

透明氧化物半导体因其优异的光学、电学、磁性特性，已广泛应用于电子学、微电子学和光电子学领域，在透明电子学、柔性电子学和自旋电子学等诸多领域具有巨大的现实和潜在应用前景。本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。

TFTLCD液晶显示器在平板显示器中脱颖而出，在显示器市场独占整头。目前以TFTLCD为代表的平板显示产业发展迅速，为适应平板显示产业迅速发展的要求，编写了薄型显示器丛书。《BR》 本册全面阐述TFTLCD液晶显示器制作技术，共分5章，包括第5章液晶显示器的设计和驱动，第6章LCD的工作模式及显示屏构成，第7章TFTLCD制作工程，第8章TFTLCD的主要部件及材料，第9章TFTLCD的改进及性能提高。本书系统完整、诠释确切，图文并茂、通俗易懂地介绍了TFTLCD制程的各个方面。本书源于生产一线，具有重要的实际指导意义和参考价值。

本书是作者多年从事电子工艺工作的经验总结。全书分上、下两篇。上篇（ ～6章）汇集了表面组装技术的54项核心工艺，从工程应用角度，全面、系统地对其应用原理进行了解析和说明，对深刻理解SMT的工艺原理、指导实际生产、处理生产现场问题有很大的帮助；下篇（第7～14章）精选了127个典型的组装失效现象或案例，较全面地展示了实际生产中遇到的各种工艺问题，包括由工艺、设计、元器件、PCB、操作、环境等因素引起的工艺问题，对处理现场生产问题、提高组装的可靠性具有 现实的指导作用。本书编写形式新颖，直接切入主题，重点突出，是一本 有价值的工具书，适合有一年以上实际工作经验的电子装联工程师使用，也可作为大学本科、高职院校电子装联专业师生的参考书。

《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后，比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法，同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序，用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析，从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外，《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书：半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读，对该领域的研究生也会有所裨益。

本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统（MEMS）器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的*进展和可能的演变趋势，详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等，*后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。

本书是作者长期从事胶体量子点研究成果的总结，同时汲取了近几年相关领域主要的**研究报道。主要内容包括：胶体量子点的激子结构和多激子效应，量子点中激子与声子的相互作用。胶体量子点的主要特性，如光学特性、电学特性、温度特性等；详细描述胶体量子点的合成和表征方法，以及典型胶体量子点（如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、掺杂量子点等）的合成工艺和主要性能；还以较大篇幅展示胶体量子点在光电子器件和生命科学中的应用，如量子点LED、量子点太阳电池、量子点激光器、量子点掺杂光纤和光纤放大器、量子点在生命科学和医学中的应用等。

本书是一本综合性很强的参考书，由60名国际专家编写，并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试，从基础知识到*技术。针对*化设计和*制造工艺，提供了以*成本制造*质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的*信息，以及*的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性强的单卷参考书。 基于大范围的涵盖，本书适用面非常广。既适用于科研院校的教师、学生及研究人员，又适用于在半导体业界从事生产和管理的专业人员。

由中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会组织有关行业组织、高校和研究单位、企业等共同完成编辑的《中国LED显示应用技术与产品汇编》内容涵盖了我国 LED显示应用行业的发展、技术及产品在各行各业的应用及服务、技术研发及成果等，从技术论述、解决方案、系统设计、应用案例分析、企业展示的角度给读者以参考、借鉴、交流合作的信息。 本书可作为LED显示应用相关领域的项目建设、管理、科研及实际工作的工具书，也可作为LED显示应用产业产、学、研、用之间交流合作的应用资料，具有重要的参考价值。

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映国内外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技

光子学是一门研究光子的产生和运动特性、光子同物质的相互作用及其应用的前沿学科，硅光子学专门研究硅以及硅基异质结材料(诸如sige／si、soi等)等介质材料中光子的行为和规律，着重研究硅基光子器件的工作原理、结构设计与制造以及在光通信、光计算等领域中的实际应用．《硅光子学》共19章，分别介绍硅基光子学基础、应用和发展趋势；硅基异质结构和量子结构的物理性质、制备方法；硅基光子器件，包括硅基发光器件、探测器、光波导器件；硅基光子晶体、硅基光电子集成、硅基光互连以及硅基太阳能电池． 《硅光子学》可以作为高等院校高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可作为半导体光子学、光电集成、光电子器件、信息网络系统、计算机光互连及相关技术领域的科研人员、工程技术人员的参考书．

《信息科学技术学术著作丛书：硅通孔3D集成技术》系统讨论用于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的*进展和未来可能的演变趋势，同时详尽讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，结合当前三维集成关键技术的发展重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片／芯片键合技术、芯片／晶圆键合技术、晶圆／晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性等关键技术问题，后讨论可实现产业化规模量产的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 《信息科学技术学术著作丛书：硅通孔3D集成技术》适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成研究工作的工程

《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册 第2册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）；III、V、VI族元素特性的实验数据（C）；各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）；各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）；以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。

《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一，《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示，均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息，尤其是详尽的参数与一一对应的图，构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。 作为一本实用的工具书，《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学

本手册内容包括各种电力电子设备的基本原理、设计方法和应用技术。全手册分为两大部分。部分包括有关电力电子设备的通用资料、基本元器件和单元、基本电路计算及设计、配套件等共性内容。第二部分为各类电力电子设备的原理与设计，包括各类交直流电机调速装置用变流器、高压大容量电力电子装置、牵引变流器、感应加热电源、交流电力控制器、开关电源、焊机电源、不间断电源、照明电力电子技术、无功补偿和谐波抑制装置等内容。书中配有大量计算实例，以便读者能很快地掌握设计计算技能。 本手册主要供从事电力电子设备研究、设计和应用的工程技术人员使用，对于从事电力电子技术专业学习和研究的大专院校师生也有较大的参考价值。

本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制，特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计，其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。

本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用，内容集学术性与实用性为一体。全书共12章，内容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论，InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析，LED的应用，后介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。

《功率半导体器件基础（英文版）》作者是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础（英文版）》结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

《实用光伏手册：原理与应用（上）（原著第2版）（导读版）》主要讨论了太阳电池制造技术。首先介绍了太阳电池运行的物理学、材料和模型化以及基础理论框架；其次详细描述晶硅技术；然后分别介绍了薄膜太阳电池的所有方面、在空间和聚光系统中使用的高效率电池以及基于分子结构的器件等内容。

刘汉诚编写的《三维电子封装的硅通孔技术》系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统（MEMS）器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的近期新进展和可能的演变趋势，详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等，很后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书

本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质(结构、物理，化学、电气等)的专门表征技术。此外，介绍了采用原理进行的模拟、建模方法，以及异质结构的电学与光学特性。 本书结构基于双重目标：以物理、化学，材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度，提供每一个被挑选的专门技术的基本概念；从*的文献中挑选采用这些专门技术得到的*结果作为例子，这些技术用来理解半导体异质结构的性质。这些章节综合了基本概念的讲解和有关联的创新例子的讨论。此外，有关量子阱、量子线和量子点的内容可以看作是将先进表征技术应用到亚纳米尺度下材料的结构与电学性质的实例。 在学术界与工业实验室内从事异质结构器件设计，生长，表征与测试的研究人员，也可以用作更为广泛的纳米技术领域的参考书。