《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术,覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺,以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外,还介绍一些相关的工艺设备。
TFTLCD液晶显示器在平板显示器中脱颖而出,在显示器市场独占整头。目前以TFTLCD为代表的平板显示产业发展迅速,为适应平板显示产业迅速发展的要求,编写了薄型显示器丛书。《BR》 本册全面阐述TFTLCD液晶显示器制作技术,共分5章,包括第5章液晶显示器的设计和驱动,第6章LCD的工作模式及显示屏构成,第7章TFTLCD制作工程,第8章TFTLCD的主要部件及材料,第9章TFTLCD的改进及性能提高。本书系统完整、诠释确切,图文并茂、通俗易懂地介绍了TFTLCD制程的各个方面。本书源于生产一线,具有重要的实际指导意义和参考价值。
本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的*进展和可能的演变趋势,详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史,然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等,*后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。
本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章,重点介绍光纤光学技术的进展,其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用,并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性,书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术,例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等,部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。
《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后,比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法,同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序,用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析,从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外,《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读,对该领域的研究生也会有所裨益。
本书是作者长期从事胶体量子点研究成果的总结,同时汲取了近几年相关领域主要的**研究报道。主要内容包括:胶体量子点的激子结构和多激子效应,量子点中激子与声子的相互作用。胶体量子点的主要特性,如光学特性、电学特性、温度特性等;详细描述胶体量子点的合成和表征方法,以及典型胶体量子点(如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、掺杂量子点等)的合成工艺和主要性能;还以较大篇幅展示胶体量子点在光电子器件和生命科学中的应用,如量子点LED、量子点太阳电池、量子点激光器、量子点掺杂光纤和光纤放大器、量子点在生命科学和医学中的应用等。
本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章,包括第1章THz波产生、探测与应用概述;第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运;第3章电子学THz振荡器与器件模拟;第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学;第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学;第6章石墨烯THz光电特性;第7章THz半导体量子级联激光器;第8章THz半导体量子阱探测器;第9章THz波的传输;第10章THz通信;第11章THz成像。
本书系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质。从宏观光学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质,本书总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。本书重视物理图像,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状,并包括了新的教学手段,以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术,而且检验了现有技术的新解释和新应用。 本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法,包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版,包括: 反映新数据和信息的更新及订正图表和实例 260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题 每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题 读者将在每章中找到完全更新和修订的节。 另外还增加了两个新章节: 基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量,包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。 可靠性
按照国家科技图书文献中心为国家 十三五 规划中的国家重点研发计划开展科技信息支撑和保障服务的战略部署,结合 战略性先进电子材料 重点专项及中国科学院文献情报中心情报分析与服务特色和优势,本书遴选了第三代半导体材料领域作为研究对象。本书调研了主要科技发达国家制定的第三代半导体材料相关科技政策;对以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的关键材料领域开展研发技术专利、相关行业产业化应用及市场调研和分析;嵌入机器学习方法,突破传统情报研究与服务范式,重点对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)进行了热点研究方向判断和分析,以期为我国第三代半导体材料及相关技术发展提供参考,为突破摩尔定律极限、集成电路 卡脖子 技术提供一个发现问题、解决问题的视角。
光子学是一门研究光子的产生和运动特性、光子同物质的相互作用及其应用的前沿学科,硅光子学专门研究硅以及硅基异质结材料(诸如sige/si、soi等)等介质材料中光子的行为和规律,着重研究硅基光子器件的工作原理、结构设计与制造以及在光通信、光计算等领域中的实际应用.《硅光子学》共19章,分别介绍硅基光子学基础、应用和发展趋势;硅基异质结构和量子结构的物理性质、制备方法;硅基光子器件,包括硅基发光器件、探测器、光波导器件;硅基光子晶体、硅基光电子集成、硅基光互连以及硅基太阳能电池. 《硅光子学》可以作为高等院校高年级本科生和研究生的教材和参考书,也可作为半导体光子学、光电集成、光电子器件、信息网络系统、计算机光互连及相关技术领域的科研人员、工程技术人员的参考书.
《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一,《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示,均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息,尤其是详尽的参数与一一对应的图,构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。 作为一本实用的工具书,《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学
本手册内容包括各种电力电子设备的基本原理、设计方法和应用技术。全手册分为两大部分。部分包括有关电力电子设备的通用资料、基本元器件和单元、基本电路计算及设计、配套件等共性内容。第二部分为各类电力电子设备的原理与设计,包括各类交直流电机调速装置用变流器、高压大容量电力电子装置、牵引变流器、感应加热电源、交流电力控制器、开关电源、焊机电源、不间断电源、照明电力电子技术、无功补偿和谐波抑制装置等内容。书中配有大量计算实例,以便读者能很快地掌握设计计算技能。 本手册主要供从事电力电子设备研究、设计和应用的工程技术人员使用,对于从事电力电子技术专业学习和研究的大专院校师生也有较大的参考价值。
《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学(相图)、电学、光学和缺陷性能,材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术,《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分,《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系,并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中,作者力求在每一个细节上都能全面反映国内外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技
本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题
本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算,带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计,应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制,特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计,其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。
模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点,揭示激光模式结构与波导结构的内在联系,从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性,因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果,因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上,作了修订和大量补充完备,以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿,既重物理概念又重推导编程演算。《BR》本书适合有关专业的大学高年级学生、研究生、研究人员和教师作为专业教材、参考书或自修提高的读物。
本书分三章,章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景,并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解,如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现
《Springer手册精选原版系列:半导体数据手册(上册 第2册)》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书,适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生,以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括:四面体键元素及其化合物特性的实验数据(B);III、V、VI族元素特性的实验数据(C);各族元素的二元化合物特性的实验数据(D);各族元素的三元化合物特性的实验数据(E);硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据(F);以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。