自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来,这一研究领域持续受到广泛关注,先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖,除了卡末林?昂内斯,还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗,超导电子学领域开拓者约瑟夫森,高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒,以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫,可见超导体研究不断出现突破性的进展,或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作,并对超导应用前景进行了展望,超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理;第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析;第5章结合具体的半导体材料,介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
第二代涂层超导体(简称YBCO涂层超导材料)由于其高的临界转变温度以及高的不可逆场,在医学、军事、发电以及输电等领域有着广泛的应用。由于YBCO需要严格的双轴织构才能承载大的传输电流,所以在制备YBCO带材的过程中,普遍采用在韧性金属基带上沉积过渡层并外延生长出YBCO超导层的方法。现阶段最成熟的第二代涂层超导带材的制备路线分别是RABiTS和IBAD技术,近年来上述两种路线的研究都得到了长足的发展。另外获得高性能的金属模板层是制备具有高载流能力的涂层超导体线带材的基础。本书将围绕制备涂层超导体的RABiTS技术和IBAD技术,以及采用压延辅助双轴织构基板技术制备用于涂层超导的织构模板层及应用等多个方面,全面系统的总结并展示这个领域的最新研究现状和未来的发展方向。
格伦德曼所著《半导体物理学(第2版)》是一部分讲述半导体物理学的教材,为高年级本科生、研究生学习这门学科提供了大量丰富的材料,使得读者能够进入更深层次的学习和研究。一方面,这部教材是固态物理学和半导体物理之间的一个很好的平衡;另外一方面,是各种各样的半导体设备和它们在电子和光子设备中应用的很好展示。书中强调了半导体,如合金、异质结构、纳米结构等领域的实际应用方面,这些都是半导体物理学研究不可或缺,但又常常被忽略。
本书从半导体物理学与现代高科技之间互为驱动的关系出发,在纵观近三十年来国内外重大进展的基础上,研讨了半导体物理学各个分支学科涌现出来的新概念、新突破和新方向,以及它们对半导体物理学学科发展的影响与贡献,分析了半导体物理学的研究现状及面临的挑战和机遇。
《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后,比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法,同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序,用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析,从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外,《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读,对该领域的研究生也会有所裨益。
《从粒子到宇宙:肉眼看不见的极美世界》是一本关于我们所生存的物质世界的科学普及读物,《从粒子到宇宙:肉眼看不见的极美世界》以从小到大的方式认识这个世界,表现了对地球和宇宙中美丽与神奇之处的赞美。根据物体的大小和与我们之间距离的远近,采用显微镜、放大镜、X光、望远镜、卫星和电磁波等逐一探索了这些生命与自然片段,其中包括原子、植物花粉、昆虫、城市地形俯瞰图、太阳系天体、银河系以及其他多个星系团等,用近400幅精美图片展示了我们平常用肉眼看不到的极美世界。
本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像, 在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
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松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象,利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论,也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗,而该运动则源于磁通运动引起的电场,读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响,另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下方
本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。