内容简介： 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的*进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名*公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书

集成电路是现代电子技术的核心，随着集成电路产业迅猛发展，对专业人才的需求正急剧上升。本书从集成电路制造的工艺、设备、厂务 3 个关键内容出发，融合了集成电路制造的理论基础和前沿实践技术，深入浅出地探讨了集成电路制造的全过程。通过大量工艺设备的使用案例分析、实验数据、设备操作标准程序和教学实践视频，帮助读者掌握实际操作。此外，在介绍当前主流制造技术的同时，还深入讲解了产业界量产设备的基本原理、动力需求和应用实践。 上海科技大学材料器件中心聚焦集成电路先进制造领域卓越工程师的人才培养任务，依托先进一流的设备资源、资深工程师团队，联合产业界专家，将集成电路先进制造理论与实践有机结合，精心打造本书，旨在为读者提供全面、深入且实用的学习资料。本书不仅适用于本科生、研究生，对从事集成电路

本书将理论与现实应用进行了有效的融合。作者将重点放在实际环境中以帮助学生获得实际的感悟，并提供一种作出正确合理设计决策的方法。本书文笔流畅，描述直接明快，易为读者所接受。本书是为面向运算放大器和模拟集成电路设计的课程所用，对实际工作的工程师也是一本综合性的参考书。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

集成微波光子技术通过微波光子器件的集成，可显著降低微波光子系统的体积、质量和功耗，是微波光子学的主要发展方向之一。《集成微波光子技术》系统介绍集成微波光子芯片的原理设计、芯片制备和封装测试技术，并对面向微波光子信号产生、处理和传输等不同功能的集成微波光子芯片的研究进展进行了详细的梳理和总结。

本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。

《忆阻类脑计算》阐述基于忆阻器的神经网络设计与实现，主要包括基于忆阻器的仿生突触与仿生神经元实现方案、采用模拟值和脉冲编码的神经网络算法原理与忆阻交叉阵列实现方案、卷积神经网络算法原理与忆阻交叉阵列实现方案、全光神经网络算法原理与基于忆阻器光学特性的实现方案、忆阻阵列在稀疏编码等其他与神经网络架构相似的应用实现等内容。

本书精选了多种类型的iPhone手 机维修参考电路原理图及元件分布参考图, 内容包括iPhone6、iPhone5S、iPhone5C、iPhone5、iPhone4S、iPhone4 的 维修参考电路与元件参考分布。 图集按iPhone手 机代数编排,按照结构和功能特点进行分类,实用性强,是手机维修人员的读物。本书可供广大手机维修人员,以及职业院校电器维修专业、 手机维修培训班的师生参考使用。

全书共分5个单元，单元，主要介绍单晶硅衬底结构特点，体硅和外延硅片的制造方法；第二单元~第五单元，主要介绍硅芯片制造基本单项工艺（氧化、掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试）的原理、方法、设备，以及依托的技术基础和发展趋势。每单元后都有习题。另外，还在录中以双极性晶体管制作为例介绍微电子生产实习等内容。

本书主要介绍电子组装工艺可靠性工程技术的基础理论和学科技术体系，以及电子组装工艺过程所涉 及的环保、标准、材料、质量与可靠性技术，其中包括电子组装工艺可靠性基础、电子组装工艺实施过程 中的环保技术、试验与分析技术、材料与元器件的选择与应用技术、20余个典型的失效与故障案例研究、 工艺缺陷控制技术等内容。这些内容汇聚了作者多年从事电子组装工艺与可靠性技术工作的积累，其中的 案例及技术都来自生产服务一线的经验总结，对于提高和保障我国电子制造的质量和可靠性水平，实现高 质量发展具有很重要的参考价值。 本书可作为从事电子组装领域研发设计、工艺研究、检测分析、质量管理等工作的工程技术人员的参 考用书，也可作为相关领域的大专院校和职业技术教育的参考教材。

《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为上册。主要从集成电路和计算架构的发展介绍软件定义芯片的概念演变，系统分析了软件定义芯片的技术原理、特性分析和关键问题，重点从架构设计原语、硬件设计空间、敏捷设计方法等方面系统介绍了软件定义芯片硬件架构设计方法，并从编译系统角度详细介绍了从高级语言到软件定义芯片配置信息的完整流程。

《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为下册。通过回溯现代通用处理器和编程模型协同演化历程分析了软件定义芯片编程模型的研究重点，介绍了如何利用软件定义芯片的动态可重构特性提升芯片硬件安全性和可靠性，分析了软件定义芯片面临的挑战并展望未来实现技术突破的发展方向，涵盖了软件定义芯片在人工智能、密码计算、5G通信等领域的最新研究以及面向未来的新兴应用方向。

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。 本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

《微处理器设计：架构、电路及实现》介绍并分析微处理器的系统架构、电路设计、物理实现等各方面的关键技术，兼具广度和深度，实现微处理器设计所需知识的纵向整合和融会贯通。《微处理器设计：架构、电路及实现》既包含微处理器设计的基本知识，如发展简史、基本组成及工作机理、指令集、流水线、超标量、层次型存储结构与基本存储单元的实现、设计验证及可测性设计，又深入介绍若干前沿研究和发展方向，如多核处理器、新型存储、计算与存储的结合、领域专用处理器、3D处理器，最后介绍若干外重要的处理器。

《芯片先进封装制造》一书从芯片制造及封装的技术和材料两个维度，介绍并探讨了半导体封装产业半个多世纪以来的发展、现状和未来趋势，其中详细说明了现今集成电路封装主流工艺、先进封装技术的改进等，可谓作者多年在半导体材料和芯片封装制造两大产业领域的生产实践总结。本书对相关专业师生和从业人员从整体上把握先进封装技术有的价值。

《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计，并给出了一些相关设计实例，内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件，从电路到系统的全面内容，是一本、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。 《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶，是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订，目前为第3版，内容较第2版有了改进，补充了CMOS电路设计领域的一些新知识，使得本书较前一版内容更加详实。 为了方便读者有选择性地学习，此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版，分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇，介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书，对工

集成电路后端设计流程长、环节多，而且每个环节、每个工种都涉及非常多的背景知识和技能。为了让读者能够系统地掌握后端设计的基础知识，本书不仅在广度上全面覆盖集成电路后端设计的三个重要设计大方向：全定制、半定制和静态时序分析，而且在深度上覆盖了后端重要设计方向之间相互关联的技术点。并以此来贯穿整个后端设计流程，使读者在广度和技术点衔接两方面深入理解整个后端设计技术和流程细节。本书不拘泥于枯燥理论的灌输，把整个集成电路后端设计过程通过结合业内主流EDA设计工具和实践操作的形式进行讲解，最终以理论联系实际的方法来真正地提高读者学以致用的工程技术设计能力。本书是任何想要学习集成电路后端设计的读者的。 本书特点： 系统而且深入，既对后端设计知识的广度有足够的覆盖，同时也不乏深度和细致。

本书是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的教材介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

射频微机电系统技术是微机电系统的重要组成部分，本书主要从理论、设计、加工、封装和应用等方面介绍射频微机电系统器件与系统，结合作者及其团队近年来在相关领域的研究成果，详细分析和阐述传输线、天线、可调电感、可变电容、开关、滤波器、移相器等核心器件的基本原理、主要类型、设计方法、加工技术、性能测试和典型应用等，为读者勾勒出射频微机电系统技术较为全面的技术基础、研究现状和发展趋势。 本书可作为微米纳米技术领域高年级本科生、研究生和教师的参考用书，并可供相关的科技人员参考。

本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。书中包括智能PIC的一个典型的工艺流程以及很难在其他同类书中找到的技术开发组织图，通过对本书的阅读，可以使学生和年轻的工程师在功率半导体器件领域领先一步。