硅光子技术在电信通信、数据中心、高性能计算、传感、航空航天等领域的广泛应用,特别是随着CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的持续发展,光子技术与电子技术的融合有望最终取代电子技术。 本书详细地介绍了硅光子技术,从光无源器件到光有源器件,从功能结构设计到芯片制造,从制造到测试,从器件回路到系统回路,从理论分析计算到仿真等,涵盖器件结构原理、设计、制造、封测、仿真等全流程,结合大量实例详细说明硅光子从器件到系统各个环节的关键要素,并辅以仿真计算源代码供学习和参考。本书共四篇,第1篇介绍硅光子发展及其应用,包括硅光子研究现状、技术挑战和发展机遇;第2篇介绍光无源器件,包括光学材料和光波导、基本功能结构和光输入/输出结构;第3篇介绍光有源器件,包括光调制器、探测器和激光光源;第4篇介绍系统设计
本书经过全面修订,讲解了如何为当今尖端电子产品设计可靠、高性能的开关电源,涵盖现代拓扑结构和变换器,内容包括设计或选择带隙基准、使用详细的新型邻近效应设计方法进行变压器设计、Buck变换器效率损耗分解方法、有源复位技术、拓扑形态学和详细的AC-DC前级电路设计方法。 本版更新包含全面反馈环路的设计方法和实例、世界上第一个宽输入电压范围谐振(LLC)变换器的简化通用设计方法,以及正激和反激变换器的分步比较设计步骤。
相控阵雷达技术是一种先进的雷达技术,本书共分12章,包括概论、相控阵雷达的主要战术与技术指标分析、相控阵雷达工作方式设计与资源管理、相控阵雷达天线波束的控制、相控阵雷达天线与馈线系统的设计、相控阵雷达发射机系统、相控阵雷达接收系统、多波束形成技术、有源相控阵雷达技术、宽带相控阵雷达技术、新型高性能半导体器件在相控阵雷达技术中的应用、微波光子相控阵雷达技术。作者根据多年从事相控阵雷达研制工作的经验与学习心得,结合近年来技术最新进展,完成本书写作,奉献给从事相关研究、生产、使用和教学人员参考。
《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术,在内容上涵盖了从基础知识到最新技术,使初学者能够了解干法刻蚀的机理,而无需复杂的数值公式或方程。《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺,而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。《半导体干法刻蚀技术(原书第2版)》讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术,介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理,例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体,并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。
雷达信号处理技术是雷达系统的重要组成部分。它完成从雷达接收回波中检测目标、提取目标信息、形成目标航迹等信息处理过程。随着雷达功能的多样化和电磁环境的复杂化,雷达信号处理技术发展迅速,已成为提高雷达系统性能的关键技术。本书共分11章。第1章为概述。第2章到第6章讨论了雷达信号处理的基础知识,包括雷达信号形式和信号分析,雷达脉冲压缩,雷达杂波抑制,雷达信号检测等;第6章到第9章讨论了阵列信号处理,抗干扰信号处理,雷达信号处理系统技术;第10章和第11章分别讨论了雷达点迹数据形成与处理,以及雷达航迹处理综合处理技术。
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中,正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律(器件集成度每两年左右翻一番)得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面,包括设备、材料、仿真(计算光刻)和工艺,内容直接取材于国际先进集成电路制造技术,为了保证先进性,特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例,这些实例都是经过生产实际验证的,希望能对读者有所启发。
硅基光电子学是作者遵循半导体科学和信息科学的发展规律,在微电子、光电子、光通信领域数十年教学科研成果的总结。本书分为基础篇和应用篇。基础篇由第1章~第10章组成,包括绪论、硅基光电子学基本理论、硅基光波导、硅基光无源器件、硅基光源、硅基光学调制、硅基光电探测、硅基表面等离激元、硅基非线性光学效应、硅基光电子器件工艺及系统集成等。应用篇由第11章~第18章组成,包括硅基光通信和光互连、硅基光交换、硅基光电计算、硅基图像传感、硅基片上激光雷达、硅基光电生物传感、硅基光信号处理、硅基光电子芯片的设计与仿真等。
本书以当前半导体电子产业所出现的技术革命为背景,针对柔性电子技术在信息、能源、医疗、国防等重要领域的应用需求,简要介绍柔性电子技术的概念、发展历程和重要应用方向,系统介绍柔性电子器件设计方法、柔性电子功能材料、柔性电子关键制备技术、柔性固体器件、柔性集成电路及系统和柔性电子检测技术与可靠性分析等所面临的机遇与挑战,并对柔性电子的发展前景进行展望。
在21世纪,大数据、人工智能等高新信息科技飞速发展之际,自旋电子学凭借其在低功耗非易失存储和存算一体化方面的独特优势,已成为推动后摩尔时代集成电路革命性创新的关键技术。全书共10章。第1章概述自旋电子学的发展历程;第2章详细介绍自旋轨道力矩效应的物理原理、检测技术、材料选择及其调控与应用;第3章讨论电控磁效应的材料体系、物理机制和器件实用性;第4章专注于反铁磁自旋电子学,探讨反铁磁磁矩的调控与检测方法;第5章从横向输运、纵向输运和相干输运三个角度全面介绍磁子学;第6章解析磁斯格明子的生成、探测及其动力学特性,并探讨其在器件中的应用前景;第7章和第8章简要介绍拓扑磁性和二维磁性;第9章和第10章则阐述自旋电子学与光学、声学的交叉研究领域。
本书采用原创概念、热点技术和实际案例相结合的方式,讲述了SiP技术从构思到实现的整个流程。全书分为三部分:概念和技术、设计和仿真、项目和案例,共30章。第1部分基于SiP及先进封装技术的发展,以及作者多年积累的经验,提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念,介绍了SiP和先进封装的*技术,共5章。第2部分依据*EDA软件平台,阐述了SiP和HDAP的设计仿真验证方法,涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋入、平面埋入、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计、多版图项目及多人协同设计等热点技术,以及SiP 和HDAP的各种仿真、电气验证和物理验证,共16章。第3部分介绍了不同类型SiP实际项目的设计仿真和实现方法,共9章。
本书系统介绍了超快激光的相关原理与技术、常用器件及典型应用。全书共12章,第1和第2章概述了超快激光的发展与特性,使读者能够快速地对超快激光有大致了解;第3章叙述了测量飞秒激光脉冲的主要方法;第4和第5章讲述了激光锁模的原理与技术及典型的超快激光光源,通过该内容读者可进一步增强对超快激光的认识;第6和第7章介绍超快激光的频率变换与展宽,通过该技术不仅可极大地丰富超快激光可覆盖的波段,也能有效地扩宽光谱宽度;第8和第9章是有关飞秒激光的非线性脉宽压缩、相位锁定、同步及相干控制与合成的内容,是实现少周期及光波电场可控极端脉冲的重要技术;第10章介绍了基于啁啾脉冲放大原理的飞秒超强激光技术与装置;第11章是目前超快科学的最前沿??阿秒脉冲的原理与技术;最后一章结合典型案例介绍了超快激光的多学科应用。
本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章,主要内容包括:MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势;谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术;谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术;谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为;微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法;谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术;通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术;微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术;谐振器中存在的典型失效模式与失效机理,以及多种可靠性评估方法和测试技术。
本书采用大量图表,通过理论和生产案例相结合的方式,全面系统地介绍电子组装的可制造性设计。首先概述了对电子组装技术的发展、焊接技术,然后介绍了电子组装可制造性设计简介和实施流程(第4章到第12章按照DFM检查表的顺序详细讲解了电子组装的可制造性设计规范,包含DFM所需的数据、组装方式和工艺流程设计、元器件选择、PCB技术和材料选择、PCB拼板、元器件焊盘设计、孔的设计、PCBA的可制造性设计、覆铜层和丝印图形设计),接下来讲述了电子组装的散热设计和电磁兼容、可测试性设计,最后讲解了可制造性的审核报告和常用软件,并在附录中给出DFM和DFT的检查表供参考。本书可帮助电子产品设计工程师提升设计水平,提高产品质量,降低成本,缩短研发周期,同时还能帮助电子产品制造工程师学会判断哪些工艺质量问题来自于设计。
本书分上、中、下三册,全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容,也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容,还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。
本书从现代微电子装备生产、使用中所发生的大大小小的数百个缺陷和故障中,筛选出201个较典型的案例,按照现象描述及分析、形成原因及机理、解决措施等层次,将其编辑成册,旨在为现代微电子装备生产、使用中所发生的缺陷与故障的诊断提供一个较为敏捷的解决方法。本书可作为大中型电子制造企业中从事微电子装备制造工艺、质量、用户服务、计划管理以及相关设计等工作的高端工程技术人员的工作手册。
本书以实际应用为出发点,对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍,例如应变硅技术、HKMG技术、 SOI技术和FinFET技术,然后从工艺整合的角度,通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍,例如隔离技术的 发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这 些工艺技术应用于实际工艺流程中,通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。 本书旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术,给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参 考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。
本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术,覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺,以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外,还介绍一些相关的工艺设备。
本书系统阐述了目标函数分离交替方向乘子法(ADMM),在此基础上发展了约束集分离与简约ADMM,解决实际应用中难以应对的复杂约束优化问题,并应用于雷达信号处理问题中。全书共10章,内容包括约束集分离与简约ADMM理论、雷达波形设计、阵列波束赋形及鲁棒自适应波束形成等雷达信号处理应用,具体包括包含频谱特性的雷达波形设计、基于波形设计的低旁瓣集中式多输入多输出(MIMO)雷达波束图合成、基于宽带波形设计的集中式MIMO雷达波束图合成、具有低自相关和互相关旁瓣的波形集设计、具有低旁瓣广义模糊函数的波形集设计、稀疏阵列波束赋形、无需模板波束赋形、自组织蜂群柔性阵列波束赋形和鲁棒自适应波束形成等。在对应问题的研究上,本书侧重数学层面的推导,从基础出发,注重方法的研究和创新,并结合工程需求,以实际问题驱动研究,知识结
本书分为四部分,第壹部分为运动控制概述,主要讲解了运动控制基本知识、系统组成、类型、特点以及常用 名词。第二部分为运动控制功能与应用,介绍了如速度控制、位置控制、转矩平衡、卷曲、飞剪、横切和位置 同步等典型应用。第三部分为实例应用解析,涉及印刷、包装、物流、金属加工、汽车和起重等众多行业,每 个实例均包括设备概述、系统配置、解决方案及技术要点分析。第四部分为运动控制虚拟调试,通过实例重点 介绍了如何运用TIA博途软件、SIMIT软件和NX MCD软件进行产品的选型及虚拟调试。 本书可供从事与运动控制相关的系统集成商、设备制造商、电气工程师以及相关的电气工程技术人员阅读,也 可以作为大专院校、高等院校相关专业学生和教师的参考用书。
面向 2030 年商用的6G 将是支撑 数字孪生、智慧泛在 社会发展愿景的基础设施,6G 除了对传统的通信能力进行进一步增强,更需要构建新的能力维度,实现通信与感知、计算、人工智能(AI)、大数据、安全等能力的一体融合设计,通过按需服务的方式,实现多能力服务质量(QoS)的端到端保障,更好地满足6G 差异化和碎片化业务场景的需求。本书首先回顾移动通信技术的发展历史,从5G发展的经验和面临的挑战出发,概述6G 发展和演进的驱动力,归纳和汇总了全球从事6G 研究的主要机构、组织、项目和企业的相关研究进展和成果,并且从愿景、需求、频率、网络架构等角度展望了如何定义6G;然后围绕传统通信网络的容量、效率、覆盖等的优化,介绍了6G 无线领域最有代表性的几个技术方向,包括分布式多输入多输出(MIMO)、智能超表面(RIS)、AI 使能的空口、先