本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

本书首先以问答的形式和快学速查的方式，介绍了电子管的基础知识与实用知识，然后介绍了一些电子管的主要参数、功能名称、封装特点、基础电路与应用电路等，从而满足读者快学电子管知识、速查电子管资料的目的。本书具有内容全面、查阅简单、携带方便的特点，是一本集电子管知识学习与资料速查的读物。本书适合音响专业师生使用，另外还可以供电子管应用领域的制作人员、电子管销售人员、胆机维修人员、电子发烧友阅读。

《晶体管原理与设计》（第2版）全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。

高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thinfilmtransistor，TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphoussilicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。 全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复。包括TFT阵列制作清洗工艺，成膜工艺，光刻工艺，不良解析和检查修复。从TFT阵列大规模制造的角度，第一次比较全面的介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术，工艺参数，生产工艺技术管理，工艺材料规格，设备特性，品质控制，产品技术解析。以工艺原理，设备参数控制，材料特性要求，生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整的介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。 本书可作为平板显示行业工程师，技术人员，管理人员的参考用书，也可供高等院校相关专业方向研究人员，研究生以及相关行业

《整机装联工艺与技术》就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。 在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。 《整机装联工艺与技术》配有大量彩色插图，非常适合电装工艺技术人员、电路设计师及操作人员

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。 本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。

本书主要讨论光伏系统。首先介绍光伏系统及太阳电池的空间应用；然后讨论了系统工程，以案例形式介绍光伏系统设计的方方面面；其次详述了地上用和空间用太阳电池的测试和校准；最后深入分析了光伏市场、光伏制造中的环境问题、能量回收及CO2排放等问题。系统总结了当前光伏领域的现状和发展趋势。详细介绍从太阳电池原理到能源利用、光伏市场等方面的广泛内容。提供了涵盖书目文献、太阳辐射数据、标准等在内的丰富的参考资料。适合能源、材料及其相关领域的科研和管理人员阅读。

太阳电池可以实现太阳光直接转换为电力，目前晶体硅太阳电池是光伏发电的主流产品。本书首先介绍了晶体硅的物理特性、太阳电池基本结构和标准电池工艺；并在介绍多晶硅原料制备原理、硅源化合物材料性能和制备基础上，着重介绍高纯多晶硅和太阳级多晶硅的制备与各种提纯生产工艺；最后，详细阐述了硅的晶体生长和硅片的生产工艺。本书可供大专院校从事光伏、半导体材料与器件、材料科学与工程等领域的师生作为教学参考书，也可供从事太阳能光伏研究、技术开发和产业生产的科技人员和工程师参考。

本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。本书特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。本书适合于从事空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生及的教学参考书。

本书介绍了半导体自旋物理学当前研究全貌，共13章，每章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写。在概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识之后，本书重点介绍了当前研究的热点和重要成果，在实验技术和实验测量方面的描述更为详尽。本书可供对半导体自旋物理学感兴趣的研究生和初次涉足这一领域的研究人员使用，对该领域的一线研究人员也极具参考价值。

为满足培养面向半导体照明上游产业外延、芯片研发和工程应用型人才的需要，本书以LED外延和芯片技术为重点，结合LED外延结构设计方法，贴近LED芯片结构的的制造工艺技术，给出了完整的LED从外延生长、芯片制备和封装技术的知识体系。 全书包括三个部分。部分是外延技术，包括LED材料外延生长技术原理和设备、半导体材料检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备。第二部分是芯片技术，包括LED芯片结构及制备工艺、蓝绿光LED芯片高光提取技术、红黄光LED芯片结构设计与制备工艺，从LED芯片制备基本工艺技术到整体工艺流程，以及先进的高光效结构设计，涵盖了GaN和AlGaInP两个材料系的芯片结构特性及制备过程，介绍了高压LED结构及制备技术。第三部分是LED封装技术, 从封装的目的、光学设计和热学设计方面对封装技术进行了介绍

本书全面介绍了TFT-LCD的结构、显示原理及特性、制造技术。部分介绍技术发展、分类、工作原理及基本结构。第二部分介绍液晶的物理特性、显示模式、TFT结构及工作原理、TFT-LCD结构及显示原理、显示特性改善。第三部分介绍TFT-LCD的制造技术与生产经验，包括非晶硅TFT-LCD的工艺流程、制造技术、不良检查与分析及低温多晶硅TFT的工艺流程与制造技术。第四部分介绍TFT器件及显示技术的进展与展望，包括有机TFT、氧化物TFT、三维立体显示、透明显示器以及柔性显示等。

《晶体管原理与设计》（第2版）全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬林德（Stefan Linder）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。