本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。

智能电网的发展趋势是自主、可靠、可控、安全稳定运行，迫切需要推动芯片国产化进程。随着新技术的发展，要求电力设备更加小型化、微型化，并实现移动作业，促使芯片向着高安全、高可靠、高集成、低功耗的方向快速发展。为了总结智能电网芯片技术及应用成效，更好地研究、开发以及应用智能电网专用芯片技术，编写《智能电网芯片技术及应用》一书。 本书共分为7章，包括概述、智能电网芯片关键技术、主控芯片技术及应用、通信芯片技术及应用、安全芯片技术及应用、射频识别芯片技术及应用、传感芯片技术及应用。

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本书详细介绍微电子器件的基本结构、工作原理和主要特性等。全书共7章，介绍半导体物理基础知识、PN结及二极管、双极型晶体管、金属-氧化物-半导体（MOS）电容、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、纳米CMOS器件、金属-半导体接触和结型场效应晶体管。同时，介绍微电子器件发展的**成就。

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的 进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 本书自出版以来得到了 外读者的好评和青睐，被许多 知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名 公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

本书以单级放大器、运算放大器及模数转换器为重点，介绍模拟集成电路的基本概念、工作原理和分析方法，特别是全面系统地介绍了模拟集成电路的仿真技术，是模拟集成电路分析、设计和仿真的入门读物。《BR》 全书共分10章和7个附录。第1章介绍模拟集成电路的发展与设计方法;第2、3章介绍单级放大器、电流镜和差分放大器等基本模拟电路的原理;第4章是电路噪声分析计算与仿真;第5章介绍运算放大器的工作原理及其分析和仿真方法;第6、7章以双端输入、单端输出运算放大器以及全差分运算放大器为例，介绍运算放大器的设计仿真方法;第8、9章以带隙电压基准和电流基准电路为例，介绍参考电压源和电流源的设计方法，其中对温度补偿技术作了详细分析；第10章为模数转换电路（ADC)，重点介绍了ADC的概念与工作原理以及采用Verilog-A语言进行系统设计的方

本书针对后摩尔时代集成电路中的互连难题，集中讨论基于碳纳米材料的片上互连技术和三维集成电路的硅通孔技术。书中简单介绍集成电路互连技术的发展和后摩尔时代集成电路所面临的互连极限难题，重点讨论碳纳米管、石墨烯互连线以及硅通孔互连的一些关键科学问题，包括碳纳米互连的参数提取和电路模型、硅通孔的电磁建模、新型硅通孔结构、碳纳米管以及铜 碳纳米管混合硅通孔互连线等。

本书对微纳机电系统与微纳传感器领域的主要技术进行了分类阐述，全面总结了技术的发展现状，客观分析了技术的发展态势，从学科的发展规律和研究特点出发，前瞻性地思考了技术的发展思路与发展方向，提出了我国发展该学科的资助机制与政策建议。