自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来,这一研究领域持续受到广泛关注,先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖,除了卡末林?昂内斯,还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗,超导电子学领域开拓者约瑟夫森,高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒,以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫,可见超导体研究不断出现突破性的进展,或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作,并对超导应用前景进行了展望,超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
本书共十七章, 分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。
全书共十六章,分上下两册出版,上册主要包括一般教学中所涉及的比较基本的内容,包括结构和结合性质、半导体中的电子状态、载流子的平衡统计、电荷输运现象、过剩载流子、pn结、半导体的表面层及MIS结构、金属-半导体接触和异质节等八章.下册则收入了一些专题,包括载流子的散射、热现象、光发射、非晶态半导体等八章.本书可供学过固体物理学课程的大学生、研究生以及有关方面的工作人员阅读、参考。
本书在第二版基础上进行了更新和扩展,对红外光-可见光-紫外光范围内的半导体光学作了回顾和总结,内容包括:线性和非线性光学性质,动力学特性,磁光学和电光学,强激励效应,一些应用、实验技术和群理论。本书的数学知识基础、简单,读者可以直观理解实验结果和所用到的处理技术。本书涉及物理学、材料科学和光电子学等相关领域。新增(或修改)的内容包括一些的进展:空腔极化、光子结构、半导体Bloch方程,并对大块材料相关的章节进行了修改和更新。
本书在第二版基础上进行了更新和扩展,对红外光-可见光-紫外光范围内的半导体光学作了回顾和总结,内容包括:线性和非线性光学性质,动力学特性,磁光学和电光学,强激励效应,一些应用、实验技术和群理论。本书的数学知识基础、简单,读者可以直观理解实验结果和所用到的处理技术。本书涉及物理学、材料科学和光电子学等相关领域。新增(或修改)的内容包括一些的进展:空腔极化、光子结构、半导体Bloch方程,并对大块材料相关的章节进行了修改和更新。
低维半导体物理是现代半导体物理和凝聚态物理的重要组成部分,蕴藏着丰富的科学内涵。它的主要研究对象是各种低维半导体材料与结构的电子性质,在电场、光照与磁场作用下的物理性质。彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。 《低维半导体物理》可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材,也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有的深度和广度。
本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像, 在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。