自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林?昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

低维半导体物理是现代半导体物理和凝聚态物理的重要组成部分，蕴藏着丰富的科学内涵。它的主要研究对象是各种低维半导体材料与结构的电子性质，在电场、光照与磁场作用下的物理性质。彭英才编著的《低维半导体物理》主要介绍了半导体超晶格与量子阱、量子线、量子点与纳米晶粒等低维体系的能带特征、电子状态、量子效应、输运性质、光学性质和磁学性质等。 《低维半导体物理》可作为普通高等学校相关专业博士研究生、硕士研究生的教材，也可供高年级本科生和相关领域的科技工作者参考阅读。

本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习，可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

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本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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《计算物理学习指导/高等学校理工科物理类规划教材辅导用书》是与《计算物理学》（刘金远等编著，科学出版社，2012年出版）相配套的辅导用书。《计算物理学》自2012年6月出版以来，广受好评，被很多院校选用，2014年9月入选国家十二五规划教材。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。