本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，最后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌

本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。

本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。

《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系。

本书全面地论述了半导体物理的基础知识；比较详细地讨论了半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、半导体表面及接触界面特性、半导体的光电效应等；综合讨论了半导体的热电、磁电、压阻等物理效应；简要介绍了低维半导体物理前沿学科的一些基本知识。每章后附有练习题。 本书可供半导体器件物理、微电子技术、电子科学与技术、应用物理等工科或以工为主理工结合的专业的本科生作教材；也可供理科相关专业的本科生和研究生及电子类的科技人员参阅。

本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，最后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

半导体行业现在是世界上 、 有价值的行业之一，与我们的生活、工作和学习密切相关。这本书是为非专业人士提供的科技指南，介绍与半导体有关的各种基础知识，包括物理、材料和电路，分立元件和集成电路系统、应用和市场，以及半导体的历史、现状和未来。 这本书适合所有对半导体感兴趣的读者。中学生 可以读懂这本书，专业人士也可以从中了解到市场、投资和政策制定方面的信息。

本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前国内相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌

本书在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上，剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势，结合作者自身的工作，着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特性以及新型量子器件都作了详尽的阐述。在全书的最后一章，提供了关于量子器件的基本计算方法和程序。本书可作为应用物理、电子学、材料专业领域内高年级本科生、研究生的教材，以及相关领域科研人员的参考读物。

《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书系。

低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作，器件性能与载流子输运动力学等内容。本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。