《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

本书是一部享誉世界经典图书，作者Peter Y.Yu (于鑫) 是美国加州大学的教授, Manuel Cardona 是德国斯图加特马普所的教授, 他们长期从事半导体物理研究和教学工作, 是半导体领域科学家。 半导体科学是一本不断取得令人惊奇进展的一门科学, 是人类社会现代化赖以实现的基础学科。本书从实验和计算两个角度详细地介绍了半导体材料的电子、振动、输运和光学性质, 强调的是对硅及其它四面体结合的半导体材料基本物理性质的理解。该书自1995年推出, 2001年即更新到第3版.，书中包含大量的数据、图表和习题, 它既是半导体物理方面难得的教科书, 同时也是从事半导体研究和器件开发的研究者的参考书。本书叙述条理清楚，语言流畅，自写作开始作者就牢记兼顾学生和专业研究人员的需要, 阅读本书对读者来说是一种享受。

本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与靠前外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观和大致了解；接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计，并分别详细论述了电子光学系统，电子束泵浦系统，半导体有源层等多个分系统。每个分系统设计都包括基本原理、系统约束、关键技术及其分系统间优化设计与性能平衡，很后简要介绍三个典型的应用系统。

本书主要叙述了全球半导体晶圆制造业线产布局的现状，是目前对全球半导体晶圆制造业 线产现状进行梳理的书籍。编者历时多年，通过与各大公司的沟通和跟踪整理，决定以全球半导体晶圆制造业发展为主线，辅以晶圆材质（Si、GaAs、SiC、GaN、InP）和尺寸（3 ～ 12英寸），按照总部所在国划分，对现有的晶圆制造设施进行了全面的梳理，包括产能、工艺节点、产品，还对相关资产转移情况进行了整理；并透过对全球半导体晶圆制造公司的发展情况、业务整合、财务信息、经营团队、产品与市场、重大战略合作协议等方面的整理和归纳，让读者可以对他们的运营方式有个比较全面的了解。