自1911年卡末林·昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林·昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。《BR》本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。

本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长，能带结构，光学性质，晶格振动，自由载流子的激发、运输和复合，杂质缺陷，表面界面，二维电子气，超晶格和量子阱，器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。

nbsp nbsp《d-Wave Superconductivity（d波超导体）》以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的

本书主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和本书作者近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

格伦德曼所著《半导体物理学（第2版）》是一部分讲述半导体物理学的教材，为高年级本科生、研究生学习这门学科提供了大量丰富的材料，使得读者能够进入更深层次的学习和研究。一方面，这部教材是固态物理学和半导体物理之间的一个很好的平衡；另外一方面，是各种各样的半导体设备和它们在电子和光子设备中应用的很好展示。书中强调了半导体，如合金、异质结构、纳米结构等领域的实际应用方面，这些都是半导体物理学研究不可或缺，但又常常被忽略。

本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

《半导体光催化环境净化》概述光催化基本原理与过程、光催化材料的性能提升策略及其在环境与能源领域的应用；重点介绍代表性高性能光催化材料如金属氧化物（二氧化钛）、金属硫化物（CdS）、石墨相氮化碳（g-C3N4）和金属有机骨架（MOFs）化合物的构建，以及助催化剂如MXene和单原子修饰提升其光催化分解水产氢、CO2还原和氮氧化物氧化去除等性能，并讲解天然矿物光催化在环境净化中的贡献。

本书是微电子技术领域内的半导体物理基础教程，系统介绍了半导体物理的基本概念、原理和应用。全书内容简明扼要、层次分明、示例与习题丰富、图解清晰、写作风格简约，既重视基础知识的讲解，又重视新知识的介绍，如异质结/能带工程、石墨烯、低维半导体的量子输运等。本书在内容安排上考虑到了前期“固体物理”、“量子力学”和后续“微电子器件/晶体管原理”教学的需要。

半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。

《半导体结构》是普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材之一，主要介绍半导体的晶体结构以及缺陷理论。《半导体结构》的主要内容包括晶体的性质，晶体的构造理论，晶体的对称性理论，晶体的晶向和晶面，半导体材料及电子材料晶体结构的特点及性质，半导体中的点缺陷、线缺陷和面缺陷，以及半导体结构的表征技术。

本书从半导体物理学与现代高科技之间互为驱动的关系出发，在纵观近三十年来国内外重大进展的基础上，研讨了半导体物理学各个分支学科涌现出来的新概念、新突破和新方向，以及它们对半导体物理学学科发展的影响与贡献，分析了半导体物理学的研究现状及面临的挑战和机遇。

本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像， 在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。