本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，最后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。

本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书为大学物理的辅导教材，主要内容包括力学、热学、电磁学、波动与光学和量子物理基础五编。各章提出了教学基本要求，重点、难点指导，思考题解析及例题分析。每编都配有自我检测题。本书是与清华大学出版的张三慧主编的《大学物理学》教材配套使用的指导书。本书对教材中较难的思考题和作业题进行了分析，自我检测题均选自清华大学试题库。本书是学生学习物理的良师益友，也可作为教师教学用参考书。

本书是与《基础化学I》配套使用的实验教材，是将无机化学和定量分析化学实验经过精选、合并，并增加了综合及设计性实验而成的。 全书共分六个部分:化学实验基本知识、普通化学实验基本操作、滴定分析的量器与基本操作、常用仪器的操作和使用、基本实验、综合性及设计性实验等。本书收入基本实验50个，综合及设计实验3个。基本实验可供选择的余地较大，综合实验及设计实验对提高学生的综合实验技能大有益处。 本书可作为农业院校、农业生产和动物生产各专业及林业院校相近专业的实验教材，也可供从事化学实验的工作人员学习、参考。

本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像， 在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

大学物理是理工科院校本科教学中一门重要的基础课，对培养和提高学生的科学素质起着其他课程不能替代的作用。而且随着科学技术的发展，许多边缘学科以及高新技术都是以物理学规律为基础发展起来的。因此，理工科学生必须打好物理学基础，才有可能在以后的专业课学习及科研新领域开拓工作中取得较好的成就。 对于刚进入大学低年级的学生来说，由于学习难度增大，教学内容多，进度快，往往会遇到许多困难，一时难以适应。为了帮助学生学好物理学，我们编写了这本辅导书，目的是帮助学生深入理解课程内容，理清思路，而且通过解题方法和解题技巧的训练，使学生了解物理学中的每个细节及其奥妙，从而加深学生对物理概念、物理规律的理解，学会分析问题和解决问题的方法，开阔思路，进而掌握学习的主动性。 我们在总结长期物理教学经验

本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像， 在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习，可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。