本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型： 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
本书以清晰的物理图像和丰富的实验结果比较全面地介绍了基于半导体量子点激子的量子计算和量子信息方面的研究进展。全书共分8章，章和第2章是半导体量子点形貌结构和基本特性简要介绍；第3章至第5章是关于激子量子比特旋转和量子逻辑运算等量子计算方面的研究进展；第6章至第8章则是关于激子复合单光子发射和纠缠光子对发射等量子信息方面的研究进展。 本书可以作为凝聚态物理、光学、材料科学、量子计算科学等有关专业的高年级本科生和研究生的教学参考书，也可供上述领域的科技工作者参考。
本书全面地论述了半导体物理的基础知识；比较详细地讨论了半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、半导体表面及接触界面特性、半导体的光电效应等；综合讨论了半导体的热电、磁电、压阻等物理效应；简要介绍了低维半导体物理前沿学科的一些基本知识。每章后附有练习题。 本书可供半导体器件物理、微电子技术、电子科学与技术、应用物理等工科或以工为主理工结合的专业的本科生作教材；也可供理科相关专业的本科生和研究生及电子类的科技人员参阅。
本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
《计算物理学习指导/高等学校理工科物理类规划教材辅导用书》是与《计算物理学》（刘金远等编著，科学出版社，2012年出版）相配套的辅导用书。《计算物理学》自2012年6月出版以来，广受好评，被很多院校选用，2014年9月入选国家十二五规划教材。
董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型： 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。
