《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的最小的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书

本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，最后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌

松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下

《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》较系统地介绍第二类超导体和弱连接超导体的性质、理论和应用。全书选材偏重于实用方面，对和实际应用有关的物理问题，书中尽可能阐述清楚；对目前距离实际应用还较远或没有关系的内容，则予以略去，或者只是简单地提及。具体内容为：理想第二类超导体，非理想第二类超导体，超导材料的临界电流密度和显微结构的关系，磁通跳跃，退化和稳定方法，交流损耗，弱连接超导体，伏安曲线的阶梯结构，电磁波的产生、混频和检测，超导量子干涉器等。 《超导电性：第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》可供从事超导电性应用和实验工作的科技工作者和大学物理系低温专业师生参考。

The progress made in physics and technology of semiconductors depends main.ly on three families of materials： the group—IV elemental，Ⅲ—Ⅴ， and Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.Almost all ⅡⅥ pound semiconductors crystallize either in the zincblende or wurtzite structure.The first research papers on Ⅱ—Ⅶ pound semiconductors date back to the middle of the nieenth century.In the ensuring hundred years extensive literature haeen accumulated as much research and development works are being carried out on these pound semiconductors.At present， the Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors are widely used as photodetectors， x—ray sensors and scintillators， phosphors in lighting， displays， etc.New applications are continuously being proposed.Thus， it seems to timely bring together the most up—to—date information on the material and semiconducting properties of Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.