自1911年卡末林·昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林·昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。《BR》本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
本书为专著共分五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型：量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍其稳态方程组解的存在性和*性。
《半导体异质结物理》总结了国内外半导体异质结方面的研究成果，较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性.《半导体异质结物理》共分10章，内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化嫁异质结、超晶格和多量子阱。
本书在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上，剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势，结合作者自身的工作，着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特性以及新型量子器件都作了详尽的阐述。在全书的后一章，提供了关于量子器件的基本计算方法和程序。 本书可作为应用物理、电子学、材料专业领域内高年级本科生、研究生的教材，以及相关领域科研人员的参考读物。
The progress made in physics and technology of semiconductors depends main.ly on three families of materials： the group—IV elemental，Ⅲ—Ⅴ， and Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.Almost all ⅡⅥ pound semiconductors crystallize either in the zincblende or wurtzite structure.The first research papers on Ⅱ—Ⅶ pound semiconductors date back to the middle of the nieenth century.In the ensuring hundred years extensive literature haeen accumulated as much research and development works are being carried out on these pound semiconductors.At present， the Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors are widely used as photodetectors， x—ray sensors and scintillators， phosphors in lighting， displays， etc.New applications are continuously being proposed.Thus， it seems to timely bring together the most up—to—date information on the material and semiconducting properties of Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。? 本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。
