全书共分十章，主要内容包括：绪论，晶体学基础，原子键合，晶体场理论及配位场理论，晶体成分，晶体结构，晶体化学基本定律，固溶体、相变及有关结构现象，晶体缺陷，晶体的物理性质等。针对材料学、矿物材料学、矿物学、岩石学、矿床学、宝石学、地球化学等学科的特点，本书仍以晶体化学内容为主，晶体物理部分重在基本概念和基本性质的介绍，略去晶体物理中的张量推导，因此有较强的针对性和实用性。
本书主要以沸石分子筛材料的绿色合成，即无有机模板剂合成与无溶剂合成为核心展开。其中无有机模板剂合成主要是介绍各种策略，包括调节起始凝胶配比、利用沸石导向剂及晶种法等；无溶剂合成更侧重于晶化过程、晶化机理及成品性能等方面的讨论。最后还提出了沸石分子筛材料绿色合成面临的新的挑战和机遇。
本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上，与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展，晶体几何学理论，倒易点阵及晶体衍射方向，晶体化学基本原理，晶体生长与晶体合成，晶体结构缺陷，准晶体学基础，单质、氧化物及类似物的晶体化学，硅酸盐晶体化学，配合物晶体的设计与合成，几种新颖配合物的晶体化学，纳米材料晶体化学，晶体的X射线分析，晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求，富有启发性，有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学，实践性也很强，及时、准确地反映了国内外的先进成果。
电子结构晶体学是一门以研究固体中电子结构及其性质为目的的晶体学实验科学，结合了晶体学实验方法和电子结构的量子理论，是一门交叉学科，是当前晶体学研究前沿领域之一。材料的本征性能主要由其电子结构决定。电子结构可采用电子密度、电子波函数或电子密度矩阵描述，其中电子密度的傅里叶变换(结构因子)可通过散射实验测定，因此，材料电子密度可以通过实验测试获得，称为实验电子密度。而且，通过建立合适的理论模型，采用一定的精修技术，可进一步重构出材料的实验电子波函数或实验电子密度矩阵，用于材料物化性能的计算。本书主要介绍采用散射方法（主要是X射线单晶衍射，也包括极化中子衍射和康普顿散射）研究晶体材料的实验电子结构（包括实验电子密度、实验电子波函数或实验电子密度矩阵）的相关理论和精修技术，主要包括散射
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的*进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
本书是一部经典的结晶学教材，1961年初版， 1972年第2版，1992年第3版，1994年、1995年重印出版，1997年简装版出版，2001年第4版全面修订出版，备受关注。书中系统阐述了结晶学的基本原理，包括晶体学、晶体学的物性、结晶动力学、结晶技术以及结晶设备的设计原理和操作。新版在第3版的基础上进行了较全面的改写，同时增加了不少新的内容，反映了该领域近年来的主要进展。该书附录提供了大量有关
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
