本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上，与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展，晶体几何学理论，倒易点阵及晶体衍射方向，晶体化学基本原理，晶体生长与晶体合成，晶体结构缺陷，准晶体学基础，单质、氧化物及类似物的晶体化学，硅酸盐晶体化学，配合物晶体的设计与合成，几种新颖配合物的晶体化学，纳米材料晶体化学，晶体的X射线分析，晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求，富有启发性，有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学，实践性也很强，及时、准确地反映了国内外的先进成果。
全书共分十章，主要内容包括：绪论，晶体学基础，原子键合，晶体场理论及配位场理论，晶体成分，晶体结构，晶体化学基本定律，固溶体、相变及有关结构现象，晶体缺陷，晶体的物理性质等。针对材料学、矿物材料学、矿物学、岩石学、矿床学、宝石学、地球化学等学科的特点，本书仍以晶体化学内容为主，晶体物理部分重在基本概念和基本性质的介绍，略去晶体物理中的张量推导，因此有较强的针对性和实用性。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
本书主要以沸石分子筛材料的绿色合成，即无有机模板剂合成与无溶剂合成为核心展开。其中无有机模板剂合成主要是介绍各种策略，包括调节起始凝胶配比、利用沸石导向剂及晶种法等；无溶剂合成更侧重于晶化过程、晶化机理及成品性能等方面的讨论。后还提出了沸石分子筛材料绿色合成面临的新的挑战和机遇。
本书系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工作成果积累，选择性介绍了几种重要的光电子晶体材料的生长技术。
电子结构晶体学是一门以研究固体中电子结构及其性质为目的的晶体学实验科学，结合了晶体学实验方法和电子结构的量子理论，是一门交叉学科，是当前晶体学研究前沿领域之一。材料的本征性能主要由其电子结构决定。电子结构可采用电子密度、电子波函数或电子密度矩阵描述，其中电子密度的傅里叶变换(结构因子)可通过散射实验测定，因此，材料电子密度可以通过实验测试获得，称为实验电子密度。而且，通过建立合适的理论模型，采用一定的精修技术，可进一步重构出材料的实验电子波函数或实验电子密度矩阵，用于材料物化性能的计算。本书主要介绍采用散射方法（主要是X射线单晶衍射，也包括极化中子衍射和康普顿散射）研究晶体材料的实验电子结构（包括实验电子密度、实验电子波函数或实验电子密度矩阵）的相关理论和精修技术，主要包括散射
本书是一部经典的结晶学教材，1961年初版， 1972年第2版，1992年第3版，1994年、1995年重印出版，1997年简装版出版，2001年第4版全面修订出版，备受关注。书中系统阐述了结晶学的基本原理，包括晶体学、晶体学的物性、结晶动力学、结晶技术以及结晶设备的设计原理和操作。新版在第3版的基础上进行了较全面的改写，同时增加了不少新的内容，反映了该领域近年来的主要进展。该书附录提供了大量有关
本书系统地介绍了多晶X射线衍射技术的原理、仪器、方法和应用。全书内容循序渐进，在介绍X射线的物理基础、射线强度检测技术及其发展、晶体和晶体衍射的理论知识基础上，着重阐述了X射线衍射仪器和多晶衍射仪的原理，详细论述了如何获得正确的衍射数据、如何评估衍射实验数据的可信度以及仪器的工作状态等实验技术问题。之后，又在物相分析、晶面间距或晶胞参数精测、峰形分析三方面深入介绍了多晶衍射数据在各方面的实际应用，列举了一些实例和已发布的应用多晶衍射的测试方法标准。 本书凝结了作者50余年的X射线仪器研发和应用经验，具有很强的实用性，可供化学、化工、材料、矿冶等领域中从事固体物质材料分析鉴定的研究人员和X射线衍射仪器操作的技术人员参考。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的*进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》详细地阐述了介电描述的晶体化学键理论和方法，特别是复杂晶体化学键的介电理论方法，为研究复杂体系的性质开辟了一种新途径。书中利用该理论方法不仅计算了大量复杂晶体的化学键参数，还展示了应用于非线性光学系数，高温超导体化学键分析，晶体环境对晶体功能性质的影响，复杂晶体品格能等性质的计算方法和过程。 《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》包括基本概念、理论分析、公式推导、数据结果和应用等几部分内容，同时，书中还为科学研究和实际应用提供了一些有用的数据和规律性内容。 《现代化学专著系列：复杂晶体化学键的介电理论及其应用》可供从事材料科学、理论化学、固体物理和无机化学方面的科研工作者，高等学校教师和研究生参考。
本书在编排上以重要理论为基础，以官能团系统为主线，以结构和性质的关系为重点。全共分为十五章，主要介绍有机化合物的命名、结构、性质、合成及相互转化规律，探讨其反应机理，每章后均附有要点梳理、习题及知识拓展内容。习题的选取注重基础性、探究性和创新性，有助于学生理解和掌握相关理论和知识，提高分析问题、解决问题的能力。知识拓展材料的选取注重应用性，有助于开拓学生视野，使理论知识延伸到实际领域中。 本书可供本科院校相关专业师生选用，教学学时数建议为48～60学时，也可作为成人教育、高职高专进行有机化学教学时的参考书。
本书属Springer材料科学系列教材之一，主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有：GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
本书在编排上以重要理论为基础，以官能团系统为主线，以结构和性质的关系为重点。全共分为十五章，主要介绍有机化合物的命名、结构、性质、合成及相互转化规律，探讨其反应机理，每章后均附有要点梳理、习题及知识拓展内容。习题的选取注重基础性、探究性和创新性，有助于学生理解和掌握相关理论和知识，提高分析问题、解决问题的能力。知识拓展材料的选取注重应用性，有助于开拓学生视野，使理论知识延伸到实际领域中。 本书可供本科院校相关专业师生选用，教学学时数建议为48～60学时，也可作为成人教育、高职高专进行有机化学教学时的参考书。
本书为研究生教材，主要内容包括晶体生长研究实例和晶体生长前沿专题研究进展上下两篇，上篇主要收集、整理、介绍了作者团队有关晶体生长的研究成果，包括离心倾液法与铝硅合金中Si的晶体生长、纳米颗粒对纯铝和铝硅合金晶体生长的影响、合金元素对镁合金表面氧化膜生长的影响等有关研究实例，下篇以专题综述的形式主要介绍了目前 外超高温NbSi基合金及其定向凝固研究进展、激光焊接铝合金过程中的晶体生长、激光增材制造过程中的晶体生长、第二相对铝合金再结晶过程的影响、金属构筑成形过程中的再结晶行为、纳米晶材料的结晶与晶粒长大、非晶合金的晶化行为研究及其发展、钙钛矿薄膜结晶研究进展、电沉积过程中的晶体生长及其影响因素等涉及不同晶体生长方向的专题前沿研究进展。本书适合作为过结晶原理或晶体生长领域的硕士研究生、博
