本书是微电子技术领域内的半导体物理基础教程，系统介绍了半导体物理的基本概念、原理和应用。全书内容简明扼要、层次分明、示例与习题丰富、图解清晰、写作风格简约，既重视基础知识的讲解，又重视新知识的介绍，如异质结/能带工程、石墨烯、低维半导体的量子输运等。本书在内容安排上考虑到了前期“固体物理”、“量子力学”和后续“微电子器件/晶体管原理”教学的需要。

自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林?昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习，可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。

本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像， 在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书是北京大学物理丛书中的《现代半导体物理》分册，全书共分十章，其内容包括半导体能带结构、有效质量理论、半导体的晶格振动等等，详尽地阐述了现代半导体物理。 本书内容全面，条理清晰，结构合理，讲解循序渐进，通俗易懂，具有较强的针对性及理论性，可供参考。

自1911年卡末林·昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林·昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。本书内容丰富、翔实，生 动有趣，适合高等院校师生、中学教师、科技工作者 ，以及科学爱好者阅读。

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自1911年卡末林·昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林·昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。本书内容丰富、翔实，生 动有趣，适合高等院校师生、中学教师、科技工作者 ，以及科学爱好者阅读。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容，可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性，包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础，包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件，只有一章，即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像，在重点内容后均有例题，并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。