本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。

本书比较全面地介绍了有关半导体物理原理的基础知识. 内容包括:半导体中电子的运动状态，统计原理，在电磁场以及在有温差时的各种输运过程，光吸收和光电导的现象，非平衡载流子的运动，表面和接触的现象， pn 结的原理.

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

本书共8章。第1章介绍滤波器的发展史，着重分析射频滤波器的种类及体声波滤波器的研发进展。第2章和第3章从体声波滤波器的物理基础出发，基于声波的传输理论与材料的压电理论推导出器件仿真模型，并以两款体声波滤波器的设计案例介绍设计方法的应用，展现关键影响因素在设计过程中的调整规律。第4～6章依次介绍了AIN薄膜的制备与表征方法、体声波滤波器的关键制备工艺与封装技术，结合本书作者团队的研究成果，表明了单晶AlN体声波滤波器（SABAR）技术路线较多晶AIN路线的优势。第7章着重介绍体声波滤波器在民用通信、国防、传感及医学领域的应用。第8章分析与展望了体声波滤波器的前沿技术，涉及SABAR滤波器、温度补偿型体声波滤波器、四工器、XBAR、YBAR等。 本书可作为射频通信、芯片制造、半导体等行业从业人员，特别是研发人员的参考书

本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。 本书可用作高等学校半导体、微电子、光电子、材料科学与工程等学科专业的教辅用书；也可供上述相关领域，特别是Si基GaN材料及芯片领域的科研工作者及从业人员参考。

本书从无机钙钛矿光电材料的结构与基本性能出发，系统介绍了无机钙钛矿光电材料（量子点、薄膜和单晶）的不同制备方法与优势，重点阐述了该类材料在发光二极管、激光器、太阳能电池、光电探测器和电子器件等方面的应用进展及技术瓶颈。内容涵盖了该领域理论方面的基本概念和器件工作机理的解释，也对材料和器件的制备工艺及优化技术进行了详细阐述。同时，本书从无机钙钛矿光电材料的种类、性能和应用等方面出发，系统地总结和归纳了其发展历程，为读者展示了近十年来该领域的重要进展。

半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计

本书涵盖了实现半导体太阳电池数值分析所需的器件物理模型、数据结构、数值算法和软件实施等四部分内容，着重于物理模型的来龙去脉、数据结构的面向对象、数值算法的简洁高效、软件实施的完整详尽， 终方便读者快速开发面向自己工作的数值分析工具。本书建立在作者20年来从事III-V族多结太阳电池器件物理与制备技术的经验基础上，相关内容是十几年来开发具有自主知识产权的多异质结太阳电池数值分析软件工作的总结与提炼，部分内容作为上海航天技术研究院研究生的专业课讲授过。

以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为 、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述，内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链，不仅表述了碳化硅各环节的科学原理，还介绍了各种相关的工艺技术。本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义，适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读，也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。

模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。 《半导体激光器设计理论2：半导体激光器激光波导模式理论（下册）》是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的新进展。 《半导体激光器设计理论2：半导体激光器激光波导模式理论（下册）》论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导

随着 的集成电路工艺节点不断向纳米级推进，对半导体纳米器件的研究就显得越发重要。本书详细介绍了半导体纳米器件的物理学原理、结构、制造工艺及应用等内容。开篇介绍了这一研究领域在过去几十年的发展；前半部分重点介绍电子纳米器件，包括准一维电子气、强电子相关的测量、量子点的热电特性、单电子源、量子电流标准、电子量子光学、噪声测量、拓扑 缘体纳米带、硅量子比特器件等；后半部分介绍光电子纳米器件，包括半导体量子点单光子源的电学控制、量子点太阳能电池、量子点激光器、纳米线激光器，以及氮化物单光子源等内容。 本书可供半导体器件、材料、物理相关科研人员和工程技术人员阅读参考，也可作为高校相关专业的拓展学习资料。