《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半导体器件与物理、

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。

本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性，有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。书中内容由浅入深，从半导体的性质、基本的半导体结构、器件的制造和模拟、功率半导体器件的应用到各类重要功率半导体器件的基本原理、设计原则和应用特性，建立起一系列不同层次的、复杂程度渐增的器件模型，并阐述了各类重要功率半导体器件各级模型的基础知识，使功率半导体器件的使用者能够很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的结构、功能、特性和特征。另外，书中还介绍了功率器件的封装、冷却、可靠性工作条件以及未来的材料和器件的相关内容。

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

本书是由集成电路行业质量与可靠性管理领域的国际知名学者，中芯国际集成电路制造有限公司副总裁简维廷、郭位院士（美）、张启华等专家编著的一本阐述质量与可靠性工程在集成电路制造中的实际应用的专著。书中系统、深入地介绍了从设计、制造评估到使用实际工程中各个环节的质量与可靠性问题，并将作者独到的创新理念融入于整个书中。全书共4章。章简要介绍了中国集成电路产业目前发展的状况及趋势，以及集成电路制造过程中，质量与可靠性管理工作主要涵盖的内容。第2～4章，分别针对质量、可靠性和失效分析（FailureAnalysis，FA）课题，通过大量的实用案例，以及作者在管理和工程上积累的众多创新经验和创新理念，阐述了如何在透彻了解理论知识的基础上，将这些知识应用于实际的生产线和产品的质量与可靠性管理。

本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质(结构、物理，化学、电气等)的专门表征技术。此外，介绍了采用原理进行的模拟、建模方法，以及异质结构的电学与光学特性。本书结构基于双重目标：以物理、化学，材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度，提供每一个被挑选的专门技术的基本概念；从的文献中挑选采用这些专门技术得到的结果作为例子，这些技术用来理解半导体异质结构的性质。这些章节综合了基本概念的讲解和最有关联的创新例子的讨论。此外，有关量子阱、量子线和量子点的内容可以看作是将先进表征技术应用到亚纳米尺度下材料的结构与电学性质的实例。在学术界与工业实验室内从事异质结构器件设计，生长，表征与测试的研究人员，也可以用作更为广泛的纳米技术领域的参考书。

随着电子产品向多功能、高密度、微型化方向发展，电子?联工艺发生了很大的变化，涉及焊料、PCB、元器件等组装材料面临更多的挑战，对?联工艺技术和可靠性提出了更高的要求，因此，迫切需要一本能系统阐述现代电子联工艺并为后续产品实际组装提供指导的图书。本书从PCB、元器件和焊接材料入手，系统讲解了现代电子?联工艺中常见的技术，包括软钎焊、压接、胶接、螺装、分板等工艺技术，对电子?联过程失效和可靠性进行了分析，并站在工艺管理的角度阐述了现代电子?联的工艺管理要求。

本书基于TFT-LCD工厂生产的实践，科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念，组成材料，工艺和设计流程等；列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法；最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例，介绍中小尺寸，特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。