《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pin

以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半导体器件与物理、

本书是一本介绍如何使用意法公司推出的集成开发环境STVD、配合使用意法公司的ST-LINK/V2在线仿真/编程器完成STM8系列单片机开发的入门书籍。全书以STM8主流系列大容量产品STM8S208RB单片机为例，对STM8S系列单片机的片内功能、开发环境、功能模块以及接口电路等方面做了详细介绍。本书也是一本零基础入门单片机C语言开发的实践指导书。

《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一，《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示，均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息，尤其是详尽的参数与一一对应的图，构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。作为一本实用的工具书，《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学校师生查阅。

本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版，包括：反映新数据和信息的更新及订正图表和实例260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题读者将在每章中找到完全更新和修订的节。另外还增加了两个新章节：基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。可靠性和失效分析

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《半导体光谱测试方法与技术》在回顾光谱学和光谱仪器的发展过程后，对半导体中涉及的主要光学过程以及半导体材料、器件及应用研究中需要哪些光谱分析手段和方法作了简要介绍，然后以分光（色散）和傅里叶变换两种方法为基础讨论了光谱分析的基本原理、测试仪器、关键部件、系统构成以及限制因素等，并结合一系列测量实例对吸收谱类、光电谱类和发射谱类测量方法与技术及相关细节进行了详细说明。此外，《半导体光谱测试方法与技术》还对半导体研究中涉及的一些拓展的光谱分析方法（如拉曼光谱、微区光谱、扫描成像光谱、时间分辨瞬态光谱及调制光谱等）也结合实例进行了介绍。《半导体光谱测试方法与技术》可供从事半导体光谱分析的研究生、研究人员及工程技术人员阅读，也可作为其他涉及此领域人员的参考书。

《功率半导体器件基础（英文版）》作者是功率半导体器件领域的专家，IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础（英文版）》结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。《功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的。

本书基于TFT-LCD工厂生产的实践，科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念，组成材料，工艺和设计流程等；列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法；最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例，介绍中小尺寸，特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。

《整机装联工艺与技术》就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题更有全面的分析。 在手工焊接、相关电磁兼容性的整机接地与布线处理、工艺文件的编制等方面，有理论知识、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提及的是，《整机装联工艺与技术》毫无保留地将很多工艺技术经验，融进了整机装联中各种不同形态焊点质量要求以及与这些焊点有关联的连接导线的形状、距离问题的处理中。从而可以把握整机装联技术中大量隐含质量问题的正确处理方法，学会“分析并看透”一个焊点在整机质量寿命中的“动态表现”。 《整机装联工艺与技术》配有大量彩色插图，非常适合电装工艺技术人员、电路设计师及操作人

本书主要叙述了全球半导体晶圆制造业线产布局的现状，是目前对全球半导体晶圆制造业 线产现状进行梳理的书籍。编者历时多年，通过与各大公司的沟通和跟踪整理，决定以全球半导体晶圆制造业发展为主线，辅以晶圆材质（Si、GaAs、SiC、GaN、InP）和尺寸（3 ～ 12英寸），按照总部所在国划分，对现有的晶圆制造设施进行了全面的梳理，包括产能、工艺节点、产品，还对相关资产转移情况进行了整理；并透过对全球半导体晶圆制造公司的发展情况、业务整合、财务信息、经营团队、产品与市场、重大战略合作协议等方面的整理和归纳，让读者可以对他们的运营方式有个比较全面的了解。

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