足立贞夫编著的《半导体物理性能手册(第2卷下 )/Springer手册精选原版系列》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括： Structural Properties结构特性 Thermal Properties热学性质 Elastic Properties弹性性质 Phonons and Lattice Vibronic Properties 声子与晶格振动性质 Collective Effects and Related Properties集体效应及相关性质 Energy-Band Structure：Energy-Band Gaps 能带结构：能带隙 Energy—Band Structure：Electron and Hole Effective Masses能带结构：电子和空穴的有效质量 Electronic Deformation Potential电子形变势 Electron Affinity and Schottky Barrier Height电子亲和能与肖特基势垒高度 Optical Properties光学性质 Elastooptic，Electrooptic， andNonlinearOptical Properties弹光、电光和非线性光学性质 Carrier Transport Properties载流子输运性质 《半导体物理性能手册(第2卷下)/Springer手册精选原版系列》适用对象包括材料、微电子学、电子科学
《半导体物理性能手册(第1卷)(英文版)》系Springer手册精选原版系列。《半导体物理性能手册(第1卷)(英文版)》主要包括Diamond（C）、Silicon（Si）、Germanium（C）、Gray Tin（a—Sn）、Cubic Silicon Carbide（3C—SiC）、Hexagonal Silicon Carbide（2H—，4H—，6H—SiC，etc.）、Rhombohedral Silicon Carbide（15R—，21R—，24R—SiC，etc.）等内容。
本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用，内容集学术性与实用性为一体。全书共12章，内容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论，InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析，LED的应用， 介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
