辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
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本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
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本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
本书在介绍半导体照明器件——发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光%26nbsp;电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统
《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章：章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料，包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长；第3章介绍SiC高频功率器件，包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介绍GaN微波功率器件与电路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT；第5章介绍正在发展中的固态新型器件，包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。
本书从半导体激光学科的科学意义与战略价值、发展趋势和特点、 外发展态势、发展思路和发展方向、发展机制与政策建议等方面系统地研究了高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展规律，并结合 的实际情况为我国高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展提出了相关建议。
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本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
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本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺
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随着芯片集成度的增加，以硅芯片光互连为特征的硅基光电集成是微电子发展方向之一，其关键瓶颈问题是硅基光源材料与器件。同时，硅基光电子在生物、显示等领域还有重要应用前景。因此，该领域一旦突破，将对未来信息产业的发展产生重大影响。本书在阐述硅基发光材料和器件的基本原理的基础上，重点阐述 外的**研究进展。本书主要包括：硅基光电子与发光材料的总体概述；硅基杂质与缺陷发光；硅基纳米材料与发光器件；稀土离子掺杂的硅基电致发光器件；硅基量子点发光材料与器件；硅基量子阱和能带调控发光材料与激光器件；硅基氧化物半导体薄膜发光器件；硅基ⅢⅤ族化合物半导体发光材料与器件；硅基有机发光材料与器件；硅基光波导和光电集成。
