本书从架构与算法讲起，介绍了功能验证、VHDL建模、同步电路设计、异步数据获取、能耗与散热、信号完整性、物理设计、设计验证等技术，还讲解了VLSI经济运作与项目管理，并简单阐释了CMOS技术的基础知识，全面覆盖了数字集成电路的整个设计开发过程。 本书既可作为高等院校微电子、电子技术等相关专业高年级师生和研究生的参考教材，也可供半导体行业工程师参考。

内容简介： 本书主要内容包括：微电子制造在5G时代面临的问题、 微结构部件耦合动力学、 实测数据和监测图像的主成分分析法、 胶液铺展、 衍射光波的复原、 引线折点动力学、 机械探针触点的电学特性和键合过程的跨尺度建模。可作为高等院校微电子封装制造专业的研究生参考书。可帮助机械材料测控力学等领域的高校师生理解封装制造工艺、 面临的技术细节； 或使一线工程师， 审视实践中涉及的科学问题， 拓宽深入的思路。也可作为相关专业科研人员的参考资料。

后摩尔时代将硅通孔（through silicovia，TSV）技术等先进集成封装技术作为重要发展方向。《TSV三维集成理论、技术与应用》系统介绍作者团队在TSV三维集成方面的研究工作，包括绪论、TSV工艺仿真、TSV工艺、TSV三维互连电学设计、三维集成微系统的热管理方法、三维集成电学测试技术、TSV转接板技术、TSV三维集成应用、发展趋势。为了兼顾全面性、系统性，《TSV三维集成理论、技术与应用》综述外相关技术进展。

在21世纪的前十年结束时，基于三维集成技术的“摩尔定律”时代就悄然来临了。具备多个有源器件平面的三维集成电路(3一DIc)，有望提供结构紧凑、布线灵活、传输高速化且通道数多的互连结构，从而为Ic设计者们提供突破“互连瓶颈”的有效手段，而且还能够有效集成各种异质材料、器件和信号处理形式，成为三维集成技术发展的主要方向之一。本书是世界上三维集成电路设计方面的本专著，既有的理论深度，又有较高的可读性。它系统、严谨地阐释了集成电路三维集成的设计技术基础，包括3一DIC系统的工艺、互连建模、设计与优化、热管理、3一D电路架构以及相应的案例研究，提出了可以高效率解决特定设计问题的解决方案，并给出了设计方面的指南。 本书是一本的技术参考书，适用的读者范围包括：超大规模集成电路(VLSI)设计工程师，微处理器和系统级芯

光子学和纳米技术的进步已经改变了人类在通信和计算方面的能力。本书介绍了时域有限差分计算电磁学在光子学和纳米技术方面的新进展。

作为一本资料信息型参考书，《集成电路工艺中的化学品》共7章，内容包括序言、薄膜制备技术及化学品、晶片清洗技术及化学品、光刻技术及化学品、刻蚀技术及化学品、化学机械抛光技术及化学品、载气及其他化学品。2～6章的内容都与集成电路制造过程的关键技术领域相关。在各章的开始，提供了集成电路制造过程关键技术的概述、所涉及的化学反应机理等，然后详细提供工艺中用到的化学品的物理化学性质、应用描述、毒性及安全等相应信息。书中涉及了200多种化学品和气体，全书最后还列出了300余篇参考文献。 将半导体元件生产所需的化学品的有用信息和数据汇集在一起，以“化学品”为中心展开系统描述，提供的化学及工程知识将帮助读者理解电子化学品的关键性作用，在电子化学品和集成电路制造工艺之间搭建起连接的“桥梁”。《集成电路工

本书通过四种最有代表性的封装类设计实例(QFP、PBGA、FC-PBGA、SiP)，详细介绍了封装设计过程及基板、封装加工、生产方面的知识。本书还涵盖封装技术的概念、常用封装材料介绍及封装工艺流程、金属线框QFP的设计、WireBond介绍、PBGA设计、基板工艺、封装工艺、8个Die堆叠的SiP设计与制作过程、高速SerDes的FC-PBGA设计关键点、Flip Chip设计过程中Die与Package的局部Co-Design。

本书是加州洛杉矶分校（UCLA）的介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。