本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应； 接下来，本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等； 很后，本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
本书从架构与算法讲起，介绍了功能验证、VHDL建模、同步电路设计、异步数据获取、能耗与散热、信号完整性、物理设计、设计验证等技术，还讲解了VLSI经济运作与项目管理，并简单阐释了CMOS技术的基础知识，全面覆盖了数字集成电路的整个设计开发过程。 本书既可作为高等院校微电子、电子技术等相关专业高年级师生和研究生的参考教材，也可供半导体行业工程师参考。
由于芯片尺寸的减小、集成度密集化的增强、电路设计复杂度的增加、电路性能要求的提高等因素，对芯片内的时序分析提出了更高的要求。静态时序分析是大规模集成电路设计中非常重要的一个环节，它能验证设计在时序上的正确性，并决定设计是否能够在要求的工作频率下运行。本书由集成电路设计专业论坛站长刘峰编著，共11章，基于广度和深度两个方面来阐述整个CMOS集成电路静态时序分析流程与时序建模技术，并通过实践案例对技术应用进行更深入的讲解，使初学者在静态时序分析与建模两方面得到理论与实战的双重提高。本书适合作为微电子与集成电路相关专业的研究生、本科生、职业技术类学生的教材和教辅书，也可作为电子、自控、通信、计算机类工程技术人员学习使用集成电路设计软件和进修集成电路设计的专业技术参考书与工具书。
本书从一位集成电路分销商的角度观察集成电路供应链上下游发展规律，分析了集成电路二十一个原厂的发展历程、集成电路的典型封装和命名规则、历史和特殊个性，直指各大集成电路厂商的恩怨情仇和江湖世界；其中还杂糅了颇具代表性的创业经历和多位从业者的职业感悟，可以感受到他们对集成电路供应链的前瞻和半导体行业的期望。
《微米纳米器件测试技术》系统介绍了微米纳米结构和器件的几何量、形貌测试表征方法以及微米纳米器件的动态特性、在线测试方法等，将一些观点、成果涵盖其中。《微米纳米器件测试技术》可作为仪器科学与技术学科以及相关学科专业研究生的基础课程讲义，主要目的是使学生对微米纳米器件测试技术的基本知识有一个比较系统、全面的了解和认识，培养他们对微米纳米相关学科的兴趣，为初学者提供一个微米纳米器件测试理论学习的平台。
《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上，介绍电力MOSFET及IGBT的80多种集成驱动电路的基本特性和主要参数，重点讨论50多种电力MOSFET及IGBT栅极驱动电路的引脚排列、内部结构、工作原理、主要技术参数和应用技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电子变流系统专用驱动控制板的应用实例，而且对这些具体实例的电路工作原理、正常工作波形、技术参数和应用技术进行较为细致的讨论。这些实例均为作者研制，且已批量投入工程实际应用，极具实用性和代表性。 《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》是从事主功率器件为电力MOSFET和IGBT的电力电子变流设备及特种电源的设计、调试、安装和制造及研究开发的工程技术人员不可多得的实用参考书，亦适合高
作为一本资料信息型参考书，《集成电路工艺中的化学品》共7章，内容包括序言、薄膜制备技术及化学品、晶片清洗技术及化学品、光刻技术及化学品、刻蚀技术及化学品、化学机械抛光技术及化学品、载气及其他化学品。2～6章的内容都与集成电路制造过程的关键技术领域相关。在各章的开始，提供了集成电路制造过程关键技术的概述、所涉及的化学反应机理等，然后详细提供工艺中用到的化学品的物理化学性质、应用描述、毒性及安全等相应信息。书中涉及了200多种化学品和气体，全书最后还列出了300余篇参考文献。 将半导体元件生产所需的化学品的有用信息和数据汇集在一起，以“化学品”为中心展开系统描述，提供的化学及工程知识将帮助读者理解电子化学品的关键性作用，在电子化学品和集成电路制造工艺之间搭建起连接的“桥梁”。《集成电路工
本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应； 接下来，本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等； 很后，本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
本书从架构与算法讲起，介绍了功能验证、VHDL建模、同步电路设计、异步数据获取、能耗与散热、信号完整性、物理设计、设计验证等技术，还讲解了VLSI经济运作与项目管理，并简单阐释了CMOS技术的基础知识，全面覆盖了数字集成电路的整个设计开发过程。 本书既可作为高等院校微电子、电子技术等相关专业高年级师生和研究生的参考教材，也可供半导体行业工程师参考。
教材、手册的中文化可能是台湾地区近年来在发展科技诸般努力中最弱的一环，但也可能是使科技生根深化最重要的一环。适当的中文教材不仅能大幅提高学习效率，而且经由大家熟悉的文字更能传递理论的逻辑概念、关联脉络以及深层意义，勾画出思路发展，学习的效果更不可以道里计。“材料科学学会”体认到教材中文化的重要性，落实及扩大教学成效，规划出版一系列观念正确、内容丰富的中文教科书。 本书章将微电子材料与工艺作一概览，第二章介绍半导体基本理论。第三章至第十章为集成电路工艺各重要的问题:单晶成长、硅晶薄膜、蚀刻、光刻技术、离子注入、金属薄膜与工艺、氧化、介电层、电子封装技术基础教材，第十一章则为材料分析技术应用。各章邀请专家学者撰写或合撰，务求内容精到详实，兼顾理论与应用，深入浅出，希望不仅成为莘
本书从架构与算法讲起，介绍了功能验证、VHDL建模、同步电路设计、异步数据获取、能耗与散热、信号完整性、物理设计、设计验证等技术，还讲解了VLSI经济运作与项目管理，并简单阐释了CMOS技术的基础知识，全面覆盖了数字集成电路的整个设计开发过程。 本书既可作为高等院校微电子、电子技术等相关专业高年级师生和研究生的参考教材，也可供半导体行业工程师参考。
本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应； 接下来，本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等； 很后，本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
本书是加州洛杉矶分校（UCLA）的介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
